Расчет усилителя постоянного тока
Курсовой
проект по дисциплине «Электроника»
Тема проекта:
Расчёт усилителя постоянного тока
Задание на курсовой проект
электромагнитная головка
тип - ГЗМ-105
Диапазон частот - 31,5 - 18 кГц
Величина выходного напряжения (на НЧ) - 0,7 мВ
Величина выходного напряжения (на ВЧ) - 1,7 мВ
Нагрузочное сопротивление - 47 кОм
электродинамический громкоговоритель
тип - 8Гд-1
диапазон частоты, кГц - 40 - 5 кГц
полное сопротивление звуковой катушки - 8 Ом
номинальная мощность - 8 Вт
паспортная мощность - 10 Вт
Разработка структурной схемы
В курсовой работе по заданию необходимо, разработать усилитель
электрических сигналов.
Определим количество каскадов, необходимых для реализации поставленной
задачи:
;
Так
как, коэффициент усиления каскада с общим эмиттером по мощности в среднем равен
1000, то применим 4 каскада.
Таким
образом, усилитель должен состоять из каскадов предварительного усилителя,
двухтактного оконечного каскада, а также источника питания предусилителя.
Для
питания усилителя используется специальный блок питания и преобразователи
напряжения каскадов предварительного усилителя.
Рис.
1 Структурная схема усилителя.
Расчёт
двухтактного бестрансформаторного усилителя мощности
Рассчитать
двухтактный бестрансформаторный усилитель мощности, если заданы мощность в
нагрузке Рн = 8 Вт и сопротивление нагрузки Rн = 8 Ом.
Усилитель работает от источника сигнала с параметрами Еr = 550 мВ и
Rr = 183 Ом.
Рис.
1.1
Решение
.
Определим с небольшим запасом мощность, которую должны выделять транзисторы
обоих плеч каскада:
Р ³ 1,1Р н = 1,1×8 = 8,8
Вт.
Примем
Р = 9 Вт.
.
Требуемое максимальное значение коллекторного тока
3.
Минимальное напряжение в цепи коллектор - эмиттер определим по выходным
характеристикам транзисторов. Остаточное напряжение Uост должно
отсекать нелинейную часть характеристик. Примем Uост » 1 В.
4 Требуемую амплитуду напряжения на
нагрузке Uвых найдём из формулы
. Необходимое напряжение источника питания Ек ³ Uост + Uкm = 1
+ 12 = 13 В. Возьмём с запасом Ек = 15 В.
. Выбираем мощные транзисторы Т1 и Т3 по значению
отдаваемой мощности Р и максимальному напряжению на коллекторе. Подходящими
транзисторами с противоположным типом проводимости (так называемой
комплиментарной парой) являются транзисторы типа КТ818Б и КТ819Б. Примем, что
среднее значение коэффициентов усиления по току b = 20. Тогда Iбm = Iкm/b = 0,075 А = 75 мА.
7 Рассчитываем цепь базового делителя R1
- R4. Потенциал базы
транзистора Т2 в состоянии покоя выберем, исходя из необходимого
начального тока через транзисторы Т2 и Т3 и вида входных
характеристик. Пусть Iк.нач = 0,2 А, тогда Iб.нач = 5 мА
и Uбэ.нач = 1 В. Примем ток делителя Iд равным 8 мА,
тогда
8 Рассчитываем каскад предварительного
усиления на транзисторе Т1. Коэффициент усиления каскада на Т1
определяется выражением:
Такое
усиление можно получить, при Iк0 = 100 мА, тогда Uкэ1 =
11 В. Получим:
k1 = (2Eк - Uкэ1)/Ik0 =
190 Ом » 200 Ом.
Из
формулы для ku1 при rэ1 = 10 Ом и b = 50, находим Rэ1 = 24 Ом, что обеспечивает необходимое
усиление каскада на Т1. По входной характеристике получаем, что Uб0
= 0,78 В, находим:
б1 = (Uкэ0 - Uб0)/Iб0 =
(11 - 0,78)/5 = 2 кОм.
.
Амплитуда входного тока транзистора Т1
10 Коэффициент усиления по мощности:
10 Ёмкость переходного конденсатора
определим из соотношения:
Примем
Спер = 50 мкФ.
В
итоге имеем:1 и R4 - МЛТ - 0,25 - 1 кОм 5 %.2 и R3 - МЛТ - 0,25 - 130
Ом 5 %.Т1 - КТ801Б,- КТ818Б,Т3 - КТ819Б.к1 -
МЛТ - 0,25 - 200 Ом 5 %.б1 - МЛТ - 0,25 - 2 кОм 5%.
Спер
- К50 - 6 - 50 мкФ - 50 В.
Расчёт
каскада с ОЭ графоаналитическим методом
усилитель электрический сигнал мощность
Рассчитать каскад с ОЭ с параметрами: Uпит = 9 В, Uн
= 0,55 В, Rн = 183 Ом, Iн = 3 мА, диапазон частот fн
= 30 Гц, fв = 6 кГц.
Решение
1. В каскаде используем транзистор
2Т301Ж с параметрами:
Fгр = 60 МГц, Iнmax = 10 мА, UКЭmax = 30
В, Pнmax = 150 мВт, b = 80.
. Строим нагрузочную прямую для переменного тока на графике выходных
характеристик транзистора (рис. 2.1), выбираем рабочую точку 0 и строим, исходя
из начальных данных, динамическую характеристику А-В.
Рис. 2.1.
. Из рис. 2.1. получаем:к0 = 4,5,кэ0 = 4,5 В,
Рис.
2.2.
б0 = 300 мкА,б0 = 0,78 В,вх = = 200 Ом,
Сопротивление
Rэ выбираем из соотношения:
.
.
Для обеспечения слаженности работы каскадов Rк должно быть в 1,5 -
3,5 раза больше Rн.
Из
соображения экономичности выберем:к = 3,5Rн = 640,5 Ом » 680 Ом.
Тогда
Rэ = 1000 - 680 = 320 Ом » 330 Ом.
.
Примем ток делителя Rб1, Rб2 равным Iд = 6×Iб0 = 1,8 мА.
.
Вычислим коэффициент усиления:
КI
= ; КU =
Определим
ёмкость конденсатора Cэ из условия:
Сэ
В
итоге получим:к - МЛТ - 0,25 - 680 Ом ± 5%э
- МЛТ - 0,25 - 330 Ом ± 5%б1 - МЛТ - 0,25 - 3,9 кОм ± 5%б2 - МЛТ - 0,25 - 1,2 кОм ± 5%
Сэ
- К50-6 - 100 мкФ - 10 В.
Расчёт
каскада по схеме с общим коллектором
Рассчитать
каскад, удовлетворяющий следующим параметрам: Rн = 200 Ом, Iвых
= 0,1 мА, Iвх = 1 мкА, диапазон частот: fн = 30 Гц, fв
= 6 кГц.
Решение.
.
Требуемый Кi = Такого коэффициента усиления можно достичь взяв
транзистор с соответствующим b. Применим транзистор 2Т301б, у
которого b достигает 120 с параметрами:гр = 60 МГц, Iкmax
= 10 мА, UКЭmax = 30 В, Pкmax = 150 мВт.
.
Выбрав рабочую точку транзистора по входным и выходным характеристикам
транзистора получим, что Iк0 = 3,5 мА, UКЭ0 = 2,5 В, Iб0
= 0,25 мА, Uбо = 0,77 В, тогда:
.
.
Примем ток делителя Iд = 6Iб0 = 1,5 мА
Коэффициент
усиления по напряжению такого каскада КU » 0,95.
.
Рассчитаем ёмкость переходного конденсатора:
.
Балансные
(дифференциальные) усилители
Рассчитать
ДУ на биполярных транзисторах с ГСТ, несимметричным входом и выходом. ЭДС
входного сигнала Еr = 1,2 мВ, сопротивление Rr = 1,6 Ом.
требуемый коэффициент усиления КUд = 15, сопротивление Rвх
³ 47 кОм.
Решение
.
Для обеспечения малого дрейфа ДУ выбираем транзисторы КТ312А, имеющие малый
тепловой ток и достаточно высокий коэффициент b. Допустимое
напряжение Uкэ max £ 15 В. Следовательно, Ек1
= Ек2 £ 7,5 В. Амплитуда выходного напряжения Uвых
= KUдEr = 15×1,2 = 18 мВ,
тогда примем Ек1 = Ек2 = 7 В. Меньшие значения Ек
затрудняют построение ГСТ.
.
Выбираем для транзисторов Т1 и Т2 рабочую точку с Uкэ0
= 3 В, Iк0 = 1 мА, Uбэ0 = 0,45 В. Тогда номинал резистора
Rк составляет
В
выбранном режиме h11э = 2 кОм, b = 40, тогда
Примем
R’ э = 1,2 кОм, тогда вх.д = 2[h 11э + 0,5R’
э(35 + 1)] = 47,2 кОм.
Примем
Rб = Rr = 1,6 Ом, тогда:
Получили,
что КU и Rвх удовлетворяют условию.
.
Рассчитаем ГСТ, для чего вначале определим потенциал коллектора транзистора Т3
относительно общей шины:
к3 = -(Iб01Rr +
Uбэ01 + Iк01 ) = - 1,7 В.
Следовательно,
падение напряжения на транзисторе Т3 и резисторе R3
составит Ек2 - Uк3 = 7 - 1,7 = 5,3 В.
Выберем
потенциал базы транзистора Т3: Uбэ = - 4,5 В, Uкб3 » 4 В. Тогда падение
напряжения U на резисторе R4 и диоде Д:
=
Ек2 - Uбэ = 7 - 4,5 = 2,5 ВR3
= U - Uбэ03 = 2,5 - 0,5 = 2 В.
Т.к.
при Iк03 = Iк01 + Iк02 = 2 мА, Uбэ03
= 0,5 В.
Тогда
сопротивление резистора R3:
3 = UR3/Iк03 =2/2 = 1 кОм.
Выберем
ток делителя R4, R5, равным Iк03 = 2 мА. Тогда
5 = (Ек2 -U)/Iдел =
2,25 кОм.
Примем
в качестве диода транзистор КТ312А в диодном включении, при Iэ = 2мА
величина Uд = Uбэ0 = 0,5 В и поэтому
В
итоге имеем:к1 и Rк2 - МЛТ - 0,25 - 3,9 кОм 5%.э1 и Rэ2 - МЛТ - 0,25 - 620
Ом 5%.3 и R4 - МЛТ - 0,25 - 1 кОм 5%5 - МЛТ - 0,25 - 2,2 кОм 5%.6 - МОН - 0,25 - 1,6 Ом 5%.
№
|
Обозначение
|
Наименование
|
Кол-во
|
Конденсаторы
|
1
|
С1, С2
|
К50 - 6 - 5 мкФ - 16В
|
2
|
2
|
С3, С4,
С7
|
К50 - 6 - 100 мкФ - 16В
|
3
|
3
|
С5, С6,
С8
|
К50 - 6 - 50 мкФ - 16В
|
Резисторы
|
4
|
R1, R4,
R14
|
МЛТ - 0,25 - 3,9 кОм ± 5 %
|
3
|
5
|
R2, R5
|
МЛТ - 0,25 - 620 кОм ± 5 %
|
2
|
6
|
R3, R6,
R9
|
МЛТ - 0,25 - 1 кОм ± 5 %
|
3
|
7
|
R7
|
МЛТ - 0,25 - 2,2 кОм ± 5 %
|
1
|
8
|
R8
|
МОН - 0,25 - 1,6 кОм ± 5 %
|
1
|
9
|
R10, R21,
R23
|
МЛТ - 0,25 - 1 кОм ± 5 %
|
3
|
10
|
R11
|
МЛТ - 0,25 - 47 кОм ± 5 %
|
1
|
11
|
R12
|
МЛТ - 0,25 - 5,1 кОм ± 5 %
|
1
|
12
|
R13, R19
|
МЛТ - 0,25 - 2 кОм ± 5 %
|
2
|
13
|
R15
|
МЛТ - 0,25 - 1,2 кОм ± 5 %
|
1
|
14
|
R16
|
МЛТ - 0,25 - 680 кОм ± 5 %
|
1
|
15
|
R17
|
МЛТ - 0,25 - 330 кОм ± 5 %
|
1
|
16
|
R18
|
МЛТ - 0,25 - 200 кОм ± 5 %
|
1
|
17
|
R20
|
МЛТ - 0,25 - 47 кОм ± 5 %
|
1
|
18
|
R22, R24
|
МЛТ - 0,25 - 130 кОм ± 5 %
|
2
|
Диоды
|
19
|
VD1, VD2
|
КС 168 А
|
2
|
Транзисторы
|
20
|
VT1 - VT4
|
КТ 312 А
|
21
|
VT5
|
2Т 301 Б
|
1
|
22
|
VT6
|
2Т 301 Ж
|
1
|
23
|
VT7
|
КТ 815 Б
|
1
|
24
|
VT8
|
КТ 819 Б
|
1
|
25
|
VT9
|
КТ 818 Б
|
1
|
Литература
1. Степаненко И.П.: Основы теории
транзисторов и транзисторных схем, М., «Энергия», 1977 г.
2. Мигулин И.Н., Чаповский М.З.:
Усилительные устройства на транзисторах, Киев, «Техника», 1971 г.
3. Диоды и их зарубежные аналоги.
Справочник. Том 2. М., «Радиософт», 1998.
4. Транзисторы. Справочник. Выпуск 3 -
4. В 8-ми книгах, М. «Патриот», 1997.
5. Элементы схем бытовой
радиоаппаратуры. Справочник. Часть 1. Конденсаторы. Резисторы. Моторные
изделия. М. «Радио и связь», 1995 г.