Источники вторичного электропитания
ФЕДЕРАЛЬНОЕ
АГЕНСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ РФ
ВОСТОЧНО-СИБИРСКИЙ
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ
КУРСОВОЙ
ПРОЕКТ ПО ЭЛЕКТРОНИКЕ
На тему:
Источники вторичного электропитания
Выполнил:
Степанов А.Н.
Проверил: Хаптаев А.П.
Улан-Удэ
г.
Содержание
Введение
. Работа структурной схемы источника
вторичного электропитания (ИВЭП)
. Выбор и расчёт схемы
3. Выбор и расчет трансформатора
4. Порядок расчета элементов силовой
части преобразователя
5. Расчёт сетевого выпрямителя
. Перечень элементов схемы
. Список использованной литературы
Введение
ИВЭП составляют основу всех
средств и систем электропитания РЭА. Это устройства, предназначенные для
преобразования входной электроэнергии переменного или постоянного тока и
обеспечения электропитанием отдельных цепей РЭА. Они могут состоять из блоков
питания или комплекта функциональных узлов ( субблоков ).
Современные
электронно-вычислительные машины, устройства автоматики и телемеханики в
подавляющем большинстве случаев получают электрическую энергию от сети
переменного тока. Однако аппаратуре нужен ток другого вида и качества. Этому и
служат источники питания, которые преобразуют сетевой ток и напряжение. При
этом они называются вторичными, а сеть переменного тока - первичным источником
питания. В ИВЭП осуществляется преобразование входного напряжения в одно или
несколько выходных напряжений как постоянного, так и переменного тока.
Состав и конфигурация
функциональной схемы обусловлены техническим заданием. ИВЭП содержит наиболее
популярные - компенсационные стабилизаторы. Они точны и обеспечивают хорошее
подавление пульсаций.
По виду входной энергии ИВЭП
можно разделить на источники с переменным и источники с постоянным входным
напряжением; по выходной мощности - на микро мощные (до 1 Вт), маломощные (1-10
Вт), среднемощные (10-100 Вт), высоко мощные (100-1000 Вт) и сверхмощные (свыше
1000 Вт) источники. ИВЭП могут иметь разное количество выходных напряжений.
Задачей данного курсового
проекта является проектирование источника вторичного электропитания (ИВЭП). В
ходе выполнения должны быть приобретены навыки анализа электронных схем, их
расчета, выбора необходимой элементной базы, разработки конструкции простых
однослойных печатных плат.
Задание
Вариант.
Таблица 1. Исходные данные.
|
Напряжение
фазы питающей сети UФ, В
|
220
|
|
Частота
тока питающей сети fс, Гц
|
60
|
|
Число
фаз сети, m
|
3
|
|
Пульсность
сетевого выпрямителя р
|
6
|
|
Относительное
изменение напряжения питающей сети: в строну увеличения, аmax
уменьшения, аmin
|
0,1 0,2
|
|
Частота
преобразования fn, кГц
|
30
|
|
Uo, B
|
12
|
|
Io max, A
|
10
|
|
Io min, A
|
3,0
|
|
Нестабильность
выходного напряжения при изменении питающей сети δ, %
|
1
|
|
Амплитуда
пульсаций выходного напряжения Uвых m, В
|
0,12
|
1. Работа структурной схемы источника вторичного
электропитания (ИВЭП)
Рис.1. Структурная схема ИВЭП с
бестрансформаторным входом
На рис. В1 - входной сетевой выпрямитель
напряжения;
Ф1 - входной сглаживающий фильтр;
Пр - импульсный преобразователь напряжения
(конвертор);
СУ - схема управления.
Конвертор ИВЭП с бестрансформаторным входом
строится в основном на базе регулируемых транзисторных преобразователей.
Транзисторы в преобразователе работают в режиме переключателя так, что большую
часть периода преобразования они находятся в режиме отсечки или насыщения этим
объясняется высокие энергетические показатели источников с импульсным
регулированием. Повышение частоты преобразования позволяет уменьшить объем и
массу электромагнитных элементов и конденсаторов, и тем самым улучшить удельные
массо-объёмные показатели.
В стабилизирующих ИВЭП, как правило, применяют
широтно-импульсный (ШИМ) способ регулирования, при котором период коммутации
постоянен, а время нахождения транзистора в области насыщения изменяется.
Схема управления содержит следящий делитель с
коэффициентом передачи КД ≤1, усилитель сигнала ошибки КУ>>1 и
широтно-импульсный модулятор КШИМ>>1. Произведение КД* КУ* КШИМ называют
петлевым коэффициентом усиления, который определяет нестабильность выходного
напряжения U0.
2. Выбор и расчёт схемы
.1 Определяем максимальную выходную мощность
преобразователя
Р0=U0*I0MAX
Р0=12*10=120 Bт
.2 Определяем номинальное входное напряжение
минимальное, максимальное и значение входного напряжения преобразователя
UC=
В,
UВХМАХ=
*UС*(1+аМАХ+кА/2),
UВХМАХ=
*381*(1+0,1+0,05/2)=604,4
В ,
UВХМIN=
*UС*(1-аМIХ-кА/2) ,
UВХМIN=
*381*(1-0,2-0,05/2)=416,3
B ,
UВХ=
*UС*(1-кА/2) ,
UВХ=
*381*(1-0.05/2)=524
B .
Так как шкала логарифмическая, то
считаем логарифмы Р0 и UВХ:
Lg 120≈2,08
Lg524≈2,72
Согласно графика рис. 2 выбираем
схему преобразователя рис.5
Рис.2. График областей
предпочтительного применения различных типов преобразователей.
Рис.5. Схема однотактного обратноходового преобразователя
с пониженным напряжением на транзисторах
2.4 Определяем U1m
и U2m
при этом задаёмся следующими значениями
Напряжение коллектор-эммитер в режиме насыщения UКЭНАС=2
B;
Максимальная длительность открытого состояния
транзистора γМАХ=0,5;
Напряжение на диодах в открытом состоянии UПРVD=0,7
B
Находим напряжение на активном сопротивлении
первичной и вторичной обмоток трансформатора:
источник вторичный питание
трансформатор
∆U1=0,02*UВХ
;
∆U1=0,02*524=10,5
B;
∆U2=0,02*U0
;
∆U2=0,02*12=0,24
B;
U1m=
UВХМIN-
UКЭНАС-∆U1
;
U1m=416,3-2-10,5=403,8B
;
U2m=
;
U2m=
=13 В .
2.5 Определяем коэффициент
трансформации
n21= U2m/ U1m ;
n21=13/403,8=0,03
.
.6 Определяем значение γМIN:
γМIN= U0/( n21* UВХМАХ+ U0) ;
γМIN=12/(0,03*604,4+12)=0,40
;
Так как γМIN=0,40>0,15
, устройство реализуемо.
.7 Определяем критическую
индуктивность
LW1=LW1КР ;
LW1КР=UВХ*
γМАХ2/(2*fn*
n21*I0MIN) ;
1КР=524*0,52/(2*30000*0,03*3)=0,0291
Гн .
.8 Определяем значение γ
γ= U0/( n21* UВХ+ U0) ;
γ=12/(0,03*524+12)=0,43.
Таблица 2. Результаты расчётов
|
γ
|
γМIN
|
γМАХ
|
n21
|
U1m, В
|
U2m, В
|
LW1, Гн
|
|
0,43
|
0,40
|
0,5
|
0,03
|
403,8
|
13
|
0,0291
|
3. Выбор и расчет трансформатора
.1 Определение действующих значений I1
и I2
I1=
n21*I0MAX
;
=0,03*10*
=0,3 А
;
= I0MAX
;
2=10*
=7,7 А .
.2 Определяем поперечное сечение
стержня на поперечное сечение окна SCT*SOK
Задаёмся значениями:
Коэффициент заполнения медью окна
магнитопровода КОК=0,25
Приращение магнитной индукции ∆В=0,1
Тл ;
Коэффициент полезного действия η=0,7
Определяем габаритную мощность
трансформатора:
РГ= I2* U2m* γМАХ(1+
η)/(2* η) ;
РГ=7,7*13*0,5*(1+0,7)/(2*0,7)=61
Вт;
Гц/Вт;
Выбираем плотность тока j=5,7*106
А/м2
SCT*SOK =
;
SCT*SOK=
=0,10*10-6 м4
= 10 см4
3.3 По значению SCT*SOK
выбираем магнитопровода и уточняем его параметры
Тип магнитопровода Ш16х20 ;
SCT *SOK=13,37
см4 ;
SCT=3,2 см2 ;
Размеры L=54
мм, I0=16 мм, I=38
мм, B=20мм, H=27
мм, h=19мм, LCP=123мм;
Рис.4. Броневой ферритовый магнитопровод.
3.4 Определяем число витков W1
и W2
W1= γМАХ*
U1m/(
SCT*∆B*fn)
;
W1=0.5*403,8/(5,7*10-4*0,1*30000)=142
витков ;
W2=W1*
n21 ;
W2=142*0,03 =4
витков.
.5 Определяем поперечное сечение жил провода q1
и q2
q1=I1/j ;
=0,3/5,7*106=0,05*10-6 м2
= 0,05мм2;
=I2/j ;
2=7,7/5,7*106=1,35 *10-6 м2 = 1,35мм2 ;
По рассчитанным значениям выбираем тип провода
ПЭТВ (провод эмалированный термостойкий с лаковой изоляцией)
Для сечения жил провода q1
выбираем провод ПЭТВ:
Диаметр по меди 0,23 мм;
Диаметр с изоляцией d1=0,28
мм;
Пороговое сопротивление Rп=0,433
Ом*м.
Для сечения жил провода q2
выбираем провод ПЭЛШО 1,4314:
Диаметр по меди 1,35 мм;
Диаметр с изоляцией d2=1,5
мм;
Пороговое сопротивление Rп=0,0123
Ом*м.
Пересчитываем q1
и q2 с учетом
изоляции:
q1=
;
q1=
=0,06 мм2 ;
q2=
;
q2=
=1,76 мм2 ;
Рассчитываем SOK:
SOK=
SCT*SOK/ SCT;
=13,37/3,2=4,2
см2
= 4,2*102 мм2.
3.6 Проверяем условие размещения
обмотки в окне магнитопровода
(q1*W1+
q2*W2)/ SOK≤KOK ;
(0,06*142+1,76*4)/4,2*102≤0,35
;
,03≤0,35.
Так как условие соблюдается, то
обмотка разместится в окне магнитопровода.
.7 Расчет суммарной величины
немагнитного зазора Iз
∆Iз=W1²*µo*
SCT/LW1 ;
∆Iз=1422*4*3,14*10-7*5,7*10-4/0,0291=5*10-4
м.
µo=4*π*10-7
Гн/м.
4. Порядок расчета элементов силовой части
преобразователя
.1 Исходя из значения Uвых
m , определяем
значение выходной емкости Сн
Сн= γМАХ*
I0MAX/(2* Uвых m*fn);
Сн=0,5*10/(2*0,12*30000)=0,00083 Ф =830 мкФ.
Согласно значения Сн выбираем конденсатор К50-35
UНОМ=16 , Сн=1000
мкФ, Uf50=3,2В.
Определяем амплитуду переменной составляющей
напряжения Uf :
Uf= Uf50*K;
=3,2*0,027=0,09 B
< Uвыхm
0,09<0,12
где К=0,027 определяется из рис.5
Рис.5. Зависимость коэффициента снижения
амплитуды от частоты
.2 Определяем максимальное значение тока
коллектора IKMAX транзистора
VT1 и VT2
∆IL=U0(1-
γМIN)/(fn*
n212*LW1);
∆IL=12*(1-0,40)/(30000*0,032*0,0291)=11
A;
MAX= n21*(I0MAX/(1- γМАХ)+∆IL/2)/η
;
1MAX
=(0,03*(10/(1-0,5)+11 /2))/0,7=1,1 А.
.3 Определяем максимальное значение напряжения
на закрытом транзисторе UКЭМАХ
UКЭ1МАХ=UВХМАХ+U0/
n21;
UКЭ1МАХ=604,4+12/0,03=1004,4В
По рассчитанным значениям IK1MAX
и UКЭ1МАХ выбираем тип
полевой транзисторов:
Необходимо чтобы:
IKMAX≥ IK1MAX;
UКЭМАХ ≥ 1,2*UКЭ1МАХ(1,2*1004,4=1205,3/2=603).
Выбираем полевой транзистор 2П803А:
Таблица 3. Полевые транзисторы
|
Тип
транзистора
|
IС (IKMAX) А
|
UСИ(UКЭНАС) В
|
РКМАХ,
Вт
|
Rсиотк
|
|
2П803А
|
n
|
3
|
800
|
60
|
4,5
|
4.4 Определяем значение мощности транзистора Рк
Рст. макс=I2с*Rси
ОТК=1,12*4,5=5,4 Вт.
Проверяем условие РКМАХ>Рст макс
>5,4
Условие соблюдается, значит, выбранный
транзистор можно использовать в данной схеме преобразования.
.5 Определяем параметры диода VD1
IVD1MAX=I0MAX/(1-
γМАХ)+∆IL/2;
IVD1MAX=10/(1-0,5)+11 /2=25,5 A;
MAX=U0/ γМIN;
1MAX=12/0,40
=30В.
По рассчитанным параметрам выбираем диод VD1:
Таблица 4. Параметры диода VD1:
|
Тип
диода
|
UОБР.МАХ, В
|
IПР.СР.МАХ, А
|
IПР.УД., А
|
fПРЕД., кГц
|
|
2Д2998В
|
35
|
30
|
600
|
200
|
Находим мощность диода:
РVD1=UПРVD*I0MAX/(1-
γМIN)+fn*
UVD1MAX*
IVD1MAX*0,01/
fПРЕД;
РVD1=0,7*10/(1-0,40)+30000*30*25,5*0,01/200000=9,53
Вт.
4.6 Определяем коэффициент передачи в контуре
регулирования
КОС=
;
КОС =
5. Расчёт сетевого выпрямителя
На основании своего варианта выбираем схему
сетевого выпрямителя рис.6:
Рис.6. Схема выпрямления
.1 Находим ток потребляемый выпрямителем
IВХ=
n21*I0MAX* γМАХ;
ВХ=0,03*10*0,5=0,15А.
5.2 Определяем параметры диодов выпрямителя и
диодов VDP1, VDP2
IВСР= IВХ/2;
IВСР=0,15/2=0,075А;
UVDmax=1004,4/2=502,2В
UОБР=UВХМАХ;
f0=2*fc;
f0=2*60=120 Гц.
.3 Выбираем диоды для выпрямителя и диоды VDP1,
VDP2 исходя из условий
IПР.СР ≥ IВХ
;
UОБРМАХ ≥ UОБР
;
fПРЕД ≥f0.
Таблица 5. Параметры диодов:
|
Тип
диода
|
UОБР.МАХ, В
|
IПР.СР.МАХ, А
|
IПР.УД., А
|
fПРЕД., кГц
|
|
2Д254В
|
600
|
1
|
3
|
150
|
РVD2=UПРVD*I0MAX*γМax+fn*
UVD2MAX*
IVD2MAX*0,01/
fПРЕД;
РVD2=0,7*10*0,5+30000*1000*1*0,01/150000=8,4
Вт.
.4 Рассчитываем величину сопротивления RОГР
RОГР = 604,4/30=20,1
Ом.
Выбираем резистор RОГР
C2-23-0.5-22 Ом±5%
при условии :
RОГР<<
<<381/0,14
Ом<<2721Ом
P=I2*Rогр=0,0752*22=0,12
5.5 Находим величину емкости Сф
Принимаем абсолютный коэффициент
пульсации ка=0,05 коэффициент запаса по напряжению кз=1,2
Udm=Uc*
;
=381*
=537,2B;
Сф=
;
Сф=
Ф=80мкФ.
.7 Определяем конденсатор
При условии:
Сном>Сф;
*4>80;
>80;
Uном≥кз*UВХМАХ;
≥1,2*604,4;
≤.725,3
Вывод: При расчете источника вторичного
электропитания мы выполнили выбор схемы высокочастотных регулируемых
транзисторных преобразователей, расчет элементов силовой части выбранной схемы
преобразователя и элементов сетевого выпрямителя, выбрали реальные элементы
схем и составили их перечень.
Для достижения условия Сном>Сф необходимо
подключить параллельно четыре конденсатора типа К50-35.
Таблица 6. Перечень основных элементов схемы:
|
№
п/п
|
Обозначение
|
Наименование
|
Количество
|
|
1
|
VD
|
Выпрямительные
диоды 2Д254В
|
6
шт.
|
|
2
|
VD1
|
Диод
2Д2998В
|
1
шт.
|
|
3
|
VDp1,VDp2
|
Диод
2Д254В
|
2
шт.
|
|
4
|
Сн
|
Конденсатор
К50-35 1000 мкФ UНОМ=25В
|
1
шт.
|
|
5
|
Сф
|
Конденсатор
К50-35 22 мкФ UНОМ=450В
|
4
шт.
|
|
6
|
|
Обмоточный
провод ПЭЛШО 1,5
|
|
|
7
|
|
Обмоточный
провод ПЭТВ 0,28
|
|
|
8
|
Rогр
|
Резистор
С2-23-0,5-22 Ом ±5%
|
1
шт.
|
|
9
|
VT1,VT2
|
Транзистор
2П803А
|
2
шт.
|
|
10
|
Т1
|
Ферритовый
магнитопровода Ш16х20 3000НМС
|
1
шт.
|
Рис.7. Принципиальная схема ИВЭП с
безтрансформаторным входом.
7.Список использованной литературы
1. Березин
О.К. , Костиков В.Г. Шахнов В.А. Источники электропитания радиоэлектронной
аппаратуры. - М.: «Три Л», 2000.-400с.
2. Электропитание
устройств связи: Учебник для вузов / А.А. Бокуняев, В.М. Бушуев, А. С.
Жерненко. Под ред. Ю.Д. Козляева. - М.: Радио и связь,1998.-328с.:ил.
. Конденсаторы
оксидноэлектрические К560-24…К50-53. Справочник.-Спб.: Издательство РНИИ «Электростандарт»,1996,208
с.:ил.
. Прянишников
В. А. Электроника: Курс лекций. - Спб.: Корона принт,1998. -400с.
. Электромагнитные
элементы радиоэлектронной аппартуры: Справочник/ Ю.С. Русин, И.Я.Гликман, А.Н.
Горский. - М.: Радио и связь,1991.-224с.
. Перельман
Б. Л. Полупроводниковые приборы. Справочник. «СОЛОН», «МИКРОТЕХ»,1996 г.
-176с.:ил.