Солнечные элементы на основе монокристаллического кремния

Солнечные элементы на основе монокристаллического кремния

СОЛНЕЧНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ НА ОСНОВЕ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ

В настоящее время известно несколько типов материалов, используемых для изготовления солнечных элементов (СЭ). Среди них монокристаллический, мультикристаллический, аморфный кремний, соединений А^III-B^V, соединения A^II-B^VI, органические соединения и пр. СЭ на основе кристаллического кремния (моно- и мульти-) составляют 80-85% мирового рынка СЭ, причем использование кристаллического кремния для СЭ определяется, главным образом, наличием технологий, разработанных и используемых для основных операций при изготовлении интегральных микросхем. Кроме того, кристаллический кремний - наиболее изученный материал из всех типов материалов, технологическая база которых наиболее развита. СЭ на основе кристаллического кремния имеют высокую эффективность, высокую надежность и возможность дальнейшего снижения себестоимости изготовления СЭ за счет перехода, например, на мультикристаллический кремний, поскольку в настоящее время снижение себестоимости изготовления СЭ лимитируется стоимостью подложки.

Средняя эффективность СЭ на основе монокристаллического кремния находится в диапазоне от 13-15% (СЭ, полученные методами шелкографии) до 16,5% (с утопленными контактами). Для мультикристаллического кремния средняя эффективность от 12,5-13,5% (обычное антиотражающее покрытие, шелкография) до 14,5% (PECVCD Si₃N₄, шелкография). Тем не менее, в последнее время акцент в производстве СЭ смещается в сторону использования мультикристаллического кремния (45% рынка СЭ в 1999 г., 50-55% - в 2000 г.).

Для более эффективного производства и использование солнечных элементов необходимо дальнейшее совершенствование технологии их получения, а также качества промышленно изготавливаемых СЭ. Настоящий литературный обзор посвящен рассмотрению одной из ключевых проблем качества СЭ - временнóй стабильности параметров СЭ при их долговременном использовании в качестве источника тока и зависимости этой стабильности от типа и качества используемого кристаллического кремния.

ВВЕДЕНИЕ

В работе [1], опубликованной в 1973 г., сообщалось о том, что эффективность СЭ, изготовленных из легированных бором пластин кремния, выращенного по Чохральскому и имеющего сопротивление 1 Ом.см, уменьшалась во время первых нескольких часов освещения, пока не достигала постоянного уровня насыщения. Авторы также показали, что эффективность элемента может быть полностью восстановлена путем низкотемпературного (200^оС) отжига. С помощью дополнительных измерений спада фотопроводимости было показано, что наблюдаемый эффект связан с объемным временем жизни носителей, которое принимает два значения, соответствующие двум различным состояниям материала, А и В. Состояние А имеет высокое время жизни и требует отжига образца при температурах выше примерно 200^оС, в то время как состояние В имеет низкое время жизни и вызывается интенсивным освещением. Однако, фундаментальные механизмы, лежащие в основе изменений времени жизни, не были поняты.

В последующие годы были предприняты несколько попыток создания физической модели, которая могла бы объяснить наблюдаемую нестабильность времени жизни в СЭ на основе легированного бором кремния, выращенного по Чохральскому. В качестве примера можно указать работы [2] и [3]. В работе [2] предложена модель, где данный эффект приписывается комплексу дефекта решетки и атома или кластера атомов серебра. В работе [3] предложен комплекс вакансия-золото в качестве рекомбинационного центра, ответственного за уменьшение времени жизни носителей. Однако ни одна из этих моделей не могла объяснить циклического характера явлений (деградация-восстановление характеристик), наблюдаемого в легированном бором кремнии, выращенном по Чохральскому. В работе [4] упоминается, что, вероятно, эффект изменения времени жизни носителей в кремнии по Чохральскому связан с прямым образованием дефектов под действием фотонов и что деградация времени жизни может быть связана с диссоциацией донорно-акцепторных пар дефектов, вызванной избыточными носителями, а не фотонами. Такая модель могла бы объяснить экспериментальное наблюдение: деградация времени жизни носителей имеет место не только под действием освещения, но также и в темноте, когда к СЭ приложено напряжение прямого смещения.

Возможным кандидатом для такой пары дефектов является дефект железо-бор [5]. Эта дефектная пара диссоциирует при освещении, при этом образуется межузельный атом железа. Так как этот атом является весьма эффективным центром рекомбинации по сравнению с парой железо-бор, это приводит к сильной деградации времени жизни носителей. В работе [6] исследовались СЭ, изготовленные на подложках из легированного бором 1 Ом.см кремния, выращенного по Чохральскому и имеющего сравнительно высокую концентрацию примеси железа и, следовательно, низкое время жизни (примерно 4 мксек). Авторы наблюдали деградацию характеристик СЭ при освещении, при приложении к СЭ прямого смещения в темноте, во время термообработки при температурах выше примерно 250^оС. Для того чтобы полностью восстановить эффективность элемента, его надо было хранить в темноте при температурах ниже 100^оС. Авторы показали, что такое поведение может объясняться влиянием пар железо-бор. Однако следует подчеркнуть, что поведение при отжиге кремния, исследованного в работе [6], весьма отличается от того поведения, которое описано в работе [1] и др., где авторы наблюдали полное восстановление времени жизни во время термообработок при температурах выше 200^оС.

ПРИРОДА И МЕХАНИЗМ ВОЗНИКНОВЕНИЯ ДЕФЕКТОВ

В работе [7] исследовались несколько образцов кремниевых пластин, легированных бором с различной концентрацией, галлием, фосфором, причем пластины изготовлены разными производителями из кремния по Чохральскому (пластины р-типа с удельным сопротивлением менее 2 Ом.см классифицировались производителями как кремний «солнечного качества», остальные пластины представляли собой кремний «электронного качества»). Перед проведением экспериментов по исследованию процесса фотодеградации пластины были стандартным образом отмыты и пассивированы с обеих сторон нитридом кремния, полученным методом LPCVD, что обеспечило возможность измерять объемное время жизни, т.к. скорость поверхностной рекомбинации была снижена до 16 см/сек. Затем пластины освещались с помощью галогенной лампой с интенсивностью 350 мВт/см² в течение 970 мин, подвергались отжигу при температуре 350^оС в течение 10 мин (на некоторых образцах проведено несколько циклов освещение-отжиг) с обязательным измерением времени жизни носителей заряда в пластинах после каждого вида обработки.

При освещении наблюдалось уменьшение времени жизни носителей на всех образцах кремния, легированного бором, причем чем выше концентрация бора в кремнии, тем быстрее происходила деградация времени жизни. На образцах кремния, легированного галлием, наблюдалось некоторое увеличение времени жизни при освещении галогенной лампой. Образцы кремния, легированного фосфором, оказались нечувствительны ни к освещению, ни к последующему отжигу. Кремний, легированный бором, восстанавливал свои характеристики после отжига, причем процесс восстановления времени жизни в этих образцах не зависел от количества ранее проведенных циклов освещение-отжиг.

Для того, чтобы разработать модель, объясняющую циклическое поведение времени жизни (деградация-восстановление), была исследована температурная зависимость восстановления времени жизни, причем эксперименты проведены на 1,5 Ом.см легированном бором кремнии, выращенном по Чохральскому, как с использованием измерения времени жизни носителей, так и с использованием метода DLTS для определения концентрации глубокоуровневых дефектов.

Полученные температурные зависимости времени жизни хорошо согласуются с поведением при термообработках пар B_iO_i. Эти бор-кислородные пары были идентифицированы как метастабильные глубокоуровневые дефекты, которые полностью диссоциируют при температурах выше 200^оС. В этих исследованиях было обнаружено, что повторное образование пар B_iO_i при комнатной температуре предотвращается конкурирующей реакцией B_i с расположенным в решетке атомом С, приводя к образованию пары B_iC_s. Эта реакция образования дефектов сравнима с экспериментально наблюдаемым увеличением времени жизни в легированном бором кремнии во время отжига при температурах выше 200^оС.

На рис. 1 представлена схематическая диаграмма, поясняющая предложенную модель.

Эта модель объясняет наблюдаемое увеличение времени жизни с уменьшением концентрации легирующего бора для пластин с удельным сопротивлением выше 0,5 Ом.см, т.к. уменьшение концентрации бора приводит к уменьшению концентрации пар B_iO_i.

Эта же модель, по мнению авторов, объясняет увеличение времени жизни с увеличением концентрации бора для удельного сопротивления в диапазоне 0,1-0,5 Ом.см: выше некоторого порогового значения концентрации бора в кремнии концентрация пар B_iO_i уменьшается с увеличением концентрации бора из-за конкурирующей реакции образования B_iB_s пар, т.к. концентрация B_iB_s увеличивается квадратично с увеличением концентрации бора, уменьшая тем самым концентрацию межузельных атомов бора.

монокристаллический кремний солнечный освещение

Рис. 1. Предлагаемая модель деградации объемного времени жизни носителей и восстановления характеристик, наблюдаемые в легированном бором кремнии, выращенном по Чохральскому.

Для того чтобы рассмотреть влияние различных концентраций кислорода, авторами работы [7] было проведено измерение концентрации межузельных атомов кислорода вместе с измерением времени жизни до и после фотодеградации. Оказалось, что разность обратных времен жизни в образце до и после освещения (величина, пропорциональная концентрации метастабильных дефектов) пропорциональна произведению концентрации бора в подложке на концентрацию межузельных атомов кислорода, что, по мнению авторов, лишний раз подтверждает предложенную модель.

Дальнейшее развитие данная модель получила в работе [8], авторы которой, анализируя также данные работы [9], пришли к выводу, что концентрация дефектов, ответственных за фотодеградацию, пропорциональна пятой степени концентрации межузельных атомов кислорода и что более точной формулой комплекса бор-кислород в этом случае будет BO_i5.

На основании проведенных исследований авторы обнаружили, что дефекты, ответственные за уменьшение времени жизни носителей при освещении, могут находиться в двух состояниях и предложили следующий механизм образования и перехода дефектов из одного состояния в другое. Переход дефектов из активного в пассивное состояние является термически активированным процессом. Обратный переход из пассивного в активное состояние происходит не только под действием фотонов, но и при воздействии носителей, т.к. деградация может наблюдаться и в темноте при воздействии инжектированных носителей. Объяснить этот переходный процесс можно с точки зрения так называемой теории рекомбинационно-стимулированной реакции дефектов [10]. Данная теория гласит: энергия для перехода дефекта из состояния I в состояние II получается из энергии, которая выделяется при рекомбинационных процессах на дефекте I. В нашем случае это означало бы, что энергия для перехода дефекта из пассивного в активное состояние выделяется за счет процессов рекомбинации на пассивном дефекте. Авторы [8] определили энергетическое положение пассивных дефектов - энергия активации оказалась равной 0,08±0,003 эВ (данный мелкий энергетический уровень соответствует дефекту с весьма слабой рекомбинационной активностью, а в совокупности с сильной зависимостью от концентрации кислорода - это мелкий термодонор). Следовательно, в соответствии с теорией рекомбинационно-стимулированной реакции дефектов это означало бы, что скорость генерации дефектов увеличивается с увеличением уровня легирования.

ВЛИЯНИЕ МЕТАСТАБИЛЬНЫХ ДЕФЕКТОВ НА ХАРАКТЕРИТИКИ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ

В упомянутых выше работах усилия исследователей фокусировались в основном на двух аспектах: а) исследование фундаментального механизма, вызывающего деградацию, и б) разработка способов уменьшения фотодеградации элементов, изготовленных на основе легированного бором кремния по Чохральскому. Влияние же фотоиндуцированных дефектов на форму вольтамперной характеристики и, следовательно, на основные параметры солнечного элемента (в первую очередь, эффективность, фактор заполнения нагрузочной ВАХ и пр.) пока не исследовались. В работе [13] была предпринята первая попытка сравнения расчетных и измеренных вольтамперных характеристик высокоэффективных солнечных элементов, изготовленных на основе кремния по Чохральскому, до и после фотодеградации и проанализированы изменения, вызванные активацией бор-кислородных комплексов.

При моделировании вольтамперных характеристик авторы [13] исходили из положения о зависимости объемного времени жизни от уровня инжекции носителей, т.к. ранее с помощью инжекционно-зависимой спектроскопии времени жизни (IDLS) [9] было показано, что параметры дефектов, вызывающих фотодеградацию (энергетические уровни, временные константы захвата электронов и дырок), таковы, что в результате объемное время жизни в сильной мере зависит от уровня инжекции носителей. Используя компьютерную программу моделирования характеристик солнечных элементов PC1D, авторы [13] рассчитали темновые вольтамперные характеристики n⁺p-структур (имеющих текстурированную лицевую поверхность, оптимальное антиотражающее покрытие и n⁺-слой глубиной 1 мкм с поверхностной концентрацией фосфора 10¹⁹ см^-3) для уровней легирования бором исходного кремния 10¹⁵ и 10¹⁶ см^-3, причем моделирование было выполнено для двух состояний каждой структуры - до и после активации метастабильных дефектов (отожженного при 200^оС и фотодеградированного, соответственно). Оказалось, что вольтамперные характеристики, рассчитанные для деградированного состояния структуры имеют перегибы ("плечо" по терминологии авторов) в области напряжений 0,5-0,6 В (для 10¹⁵ см^-3) и 0,65-0,75 В (для 10¹⁶ см^-3). Физические основы появления "плеча" - зависящее от уровня инжекции объемное время жизни, определяемое характеристическими свойствами глубоких дефектов с резко асимметричным отношением временных констант захвата электронов и дырок. С увеличением напряжения увеличивается уровень инжекции носителей в объеме, а с ним и объемное время жизни, приводя к относительному уменьшению рекомбинационного тока.

С помощью той же программы авторы [13] рассчитали локальный фактор идеальности (n) вольтамперной характеристики и ее зависимость от приложенного напряжения. Оказалось, кривая зависимости n от напряжения имеет максимум (в максимуме n>2). А, сравнивая полученную кривую с зависимостью объемного времени жизни от приложенного напряжения, авторы приходят к выводу, что повышенное значение фактора идеальности ВАХ является следствием резкого увеличения объемного времени жизни с увеличением напряжения, причем положение максимума зависит от уровня легирования кремния бором (этим объясняется и сдвиг "плеча" в сторону больших напряжений при увеличении концентрации бора с 10¹⁵ до 10¹⁶ см^-3).

Для экспериментальной проверки полученных расчетных зависимостей были изготовлены солнечные элементы со структурой RP-PERL и MIS на основе кремния по Чохральскому с удельным сопротивлением 0,72, 1,5 и 5,2 Ом.см. На полученных элементах были измерены зависимости плотности тока короткого замыкания от напряжения холостого хода до и после освещения в течение 30 час. Полученные характеристики солнечных элементов и экспериментальные люкс-вольтамперные зависимости полностью совпали с предсказанными теоретически значениями: высокая степень деградации (изменение составило до 6%) напряжения холостого хода и тока короткого замыкания для элементов с уровнем легирования кремния выше 10¹⁶ см^-3, и наоборот, практически неизменные значения напряжения и тока после деградации, но значительные изменения фактора заполнения нагрузочной ВАХ для солнечных элементов с уровнем легирования кремния 2,6.10¹⁵ см^-3. Изменение фактора заполнения для элементов последнего типа объясняется наличием "плеча" на люкс-вольтамперной характеристике в области рабочих напряжений (~0,6 В), в то время как для элементов с более высоким уровнем легирования это "плечо" расположено при напряжениях выше 0,7 В, т.е. вне области рабочих напряжений.

Из проведенных теоретических расчетов и экспериментальных исследований авторы делают ряд практических выводов:

-       деградация фактора заполнения вольтамперной характеристики, а вместе с ним характеристик солнечного элемента (при освещении или при приложении прямого смещения), обусловлена не свойствами элемента (последовательное сопротивление, шунтирующее сопротивление, рекомбинация в области объемного заряда), а свойствами легированного бором кислородсодержащего кремния по Чохральскому;

-        для получения высоких выходных характеристик солнечного элемента после фотодеградации (высокие значения напряжения и тока, фактор заполнения ВАХ на уровне 80% и выше) уровень легирования кремния должен быть примерно 3.10¹⁵ см^-3, что соответствует удельному сопротивлению кремния примерно 3 Ом.см (см. рис. 2).

Рис. 2. Рассчитанные значения фактора заполнения ВАХ в зависимости от уровня легирования кремния с учетом (сплошная линия) и без учета (пунктир) рекомбинационных центров вблизи запрещенной зоны.

СПОСОБЫ ПОДАВЛЕНИЯ ОБРАЗОВАНИЯ ДЕФЕКТОВ, ОТВЕТСТВЕННЫХ ЗА ДЕГРАДАЦИЮ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ

Модели дефектообразования, изложенные выше, позволяют предложить ряд практических методов для повышения качества как самого легированного бором кремния, выращенного по Чохральскому, так и изготавливаемых на его основе солнечных элементов.

Другими возможностями, которые могут быть реализованы с меньшими затратами в производстве коммерческих солнечных элементов, являются следующие [7]:

·   уменьшение концентрации бора, т.е. использование пластин с большим удельным сопротивлением (примерно 10 Ом.см вместо 1 Ом.см), и использование поля тыльного контакта в СЭ;

·   уменьшение концентрации кислорода во время выращивания кристалла (покрытие нитридом кремния стенок тигля) или за счет последующих обработок;

·   использование пластин с низким удельным сопротивлением (примерно 0,1 Ом.см). Дальнейшая проверка этого предложения в работе [8] показала его ошибочность, т.е. подтвердилось положение общепринятой модели: с увеличением степени легирования подложки бором деградация характеристик солнечных элементов усиливается.

В работе [8] на основании проведенных исследований предложили свои пути снижения деградации времени жизни. Эти предложения схематически представлены на рис. 3.

Рис. 3. Схематическое представление предлагаемых путей и методов снижения деградации времени жизни, а также полученные результаты ([8]).

А. Использование материалов с пониженным содержанием кислорода.

В проведенных экспериментах [11] использовался кремний, выращенный по Чохральскому в магнитном поле, для исследования времени жизни и изготовления солнечных элементов. Были получены высокие значения времени жизни носителей, эффективность полученных солнечных элементов достигала 22,7 %, при этом не было замечено никакой деградации характеристик.

Б. Легированный галлием кремний, выращенный по Чохральскому.

Эксперименты ([11]) проводились на кремнии, полученном на фирме Shin-Etsu. Легированный галлием кремний имел удельное сопротивление 5,2 Ом.см, время жизни выше 1 мсек, при этом концентрация кислорода была достаточно велика - 13,7 ppma или примерно 6,8.10¹⁷ см-³. С использованием этого материала была достигнута эффективность 22,5% (при этом напряжение холостого хода составило 689,8 мВ) на элементах типа PERL (площадь элемента 4 см²). Сообщается [12] об изготовлении на основе этого кремния солнечного элемента размером 10х10 см², имеющего эффективность 20,2 %. При этом ни в одном из случаев изготовления элементов не наблюдалась ни деградация времени жизни носителей, ни изменение эффективности полученных элементов.

В. Уменьшение концентрации дефектов при высокотемпературных обработках.

При использовании стандартного кремния по Чохральскому, легированного бором и содержащего кислород, деградация характеристик может быть значительно снижена под воздействием высокотемпературных обработок.

В работе [14] исследовалось влияние параметров процесса окисления на изменение объемного времени жизни после фотодеградации. Авторы показали, что предпочтительными температурами для проведения процессов окисления кислородсодержащего кремния по Чохральскому является диапазон температур 1000-1050^оС. Именно после окисления кремния в этом диапазоне температур авторы наблюдали минимальное значение деградации времени жизни носителей. Авторы отмечают, что применение влажного окисления приводит к более выраженной фотодеградации объемного времени жизни.

В работе [15] авторы исследовали влияние параметров процесса окисления (скорость повышения и снижения температуры, продолжительность окисления) на величину "стабильного времени жизни", т.е. значение объемного времени жизни после продолжительного (40 час) освещения. Численные значения параметров процесса в данной работе не приводятся, но авторы назвали эти процессы: А (по терминологии авторов, неоптимальный, т.е. приводящий к значительному снижению стабильного времени жизни после окисления) и В (оптимальный, т.е. приводящий к увеличению времени жизни по сравнению с исходным состоянием как после окисления, так и после фотодеградации).

Авторы [15] изучили механизм воздействия оптимального и неоптимального процессов окисления на изменение времени жизни и показали, что оптимальные параметры процесса окисления вызывают умеренное уменьшение концентрации межузельных атомов кислорода, в то время как неоптимальный процесс приводит к резкому уменьшению концентрации межузельных атомов кислорода и образованию кислородных преципитатов. Хотя характеристические полосы поглощения кислородных преципитатов в образцах, окисленных в неоптимальном высокотемпературном процессе, с помощью FTIR-спектроскопии не обнаружены, сильное уменьшение концентрации атомов межузельного кислорода указывает на то, что резкое уменьшение времени жизни в этих образцах вызвано образованием кислородных преципитатов. Это предположение авторов подтверждается следующими фактами: с одной стороны, кислородные преципитаты образуют электрически активные уровни дефектов в запрещенной зоне [16]; с другой стороны, наблюдение полос поглощения (на FTIR-спектрах, полученных при комнатной температуре), связанных с кислородными преципитатами, происходит на образцах, прошедших трех- или двухстадийные процессы термообработки продолжительностью на 1-2 порядка больше.

В данном случае речь может идти об образовании микропреципитатов, которые могут быть обнаружены с помощью микроскопической FTIR-спектроскопии, обладающей высоким разрешением. Тем не менее, авторы работы [15] утверждают, что результаты исследований могут рассматриваться как строгое указание на то, что кислородные преципитаты являются причиной уменьшения времени жизни, которое наблюдается в кислородсодержащем кремнии по Чохральскому после неоптимального процесса окисления при 1050^оС.

Авторы [8] предлагают новый метод отжига исходных кремниевых пластин при умеренных температурах (750^оС) в течение короткого периода времени (10 мин), который имеет ту же эффективность с точки зрения увеличения времени жизни носителей, что и использовавшийся ранее отжиг при 1050^оС в течение 60 мин. По мнению авторов, это открывает возможности для использования отжига при умеренных температурах при индустриальном производстве солнечных элементов.

ЛИТЕРАТУРА

1. H.Fischer and W.Pschunder. “Investigation of photon and thermal induced changes in silicon solar cells”, 10^th IEEE Photovoltaic Specialists Conf., 1973, pp.404-411.

2. V.G.Weizer, H.W.Brandhorst, J.D.Broder, R.E.Hart and J.H.Lamneck. “Photon degradation effects in terrestrial silicon solar cells”, J.Appl. Phys. 50, 1979, pp.4443-4449.

3. K.Graff and H.Pieper. “Degradation of carrier lifetime in silicon crystals at room temperature”, Phys. Stat. Sol. (a) 49, 1978, pp.137-144.

4. J.W.Corbett, A.Jaworowski, R.L.Kleinhenz, C.B.Pierce and N.D.Wilsey. “Photodegradation in silicon”, Solar Cells, 2, 1980, pp.11-22.

5. K.Graff and H.Pieper. “The properties of iron in silicon”, J.Electrocem. Soc. 128, 1981, pp.669-674.

6. J.H.Reiss, R.R.King and K.W.Mitchell. “Characterization of diffusion length degradation in Czochralski silicon solar cells”, Appl. Phys. Lett. 68, 1996, pp.3302-3304.

7. J.Schmidt, A.G.Aberle and R.Hezel. Proceedings of the 26^th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, Anaheim, USA (1997), pp.13-18.

8. S.W.Glunz, S.Rein and J.Knoblock. Proceedings of 16^th European Photovoltaic Solar Energy Conference, 1-5 May 2000, Glasgow, UK, p.1070.

9. J.Schmidt and A.Cuevas. J.Appl. Phys. 86, 1999, pp.3175-3180.

10. L.C.Kimerling, M.T.Asom, J.L.Benton, P.J.Drevinsky and C.E.Caefer. Proceedings of 15^th International Conference on Defects in Semiconductors, Budapest, Hungary (1988), pp.141-150.

12. S.W.Glunz, B.Köster, T.Leimenstoll, S.Rein, E.Schäffer, J.Knoblock and T.Abe. Progress in Photovoltaics 8 (2000), pp.237-240.

13. J.Schmidt, A.Cuevas, S.Rein and S.W.Glunz. Proceedings of 17^th European Photovoltaic Solar Energy Conference, Munich, Germany, 22-26 Oct. 2001, pp.1396-1399.

14. T.K.Vu, Y.Ohshita, K.Araki and M.Yamaguchi. Proceedings of 17^th European Photovoltaic Solar Energy Conference, Munich, Germany, 22-26 Oct. 2001, pp.1705-1707.

15. S.Rein, J.Knoblock and S.W.Glunz. Proceedings of 16^th European Photovoltaic Solar Energy Conference, 1-5 May 2000, Glasgow, UK.

16. G.Obermeier, J.Hage and D.Huber. J. Appl. Phys. 82 (1997), pp.595-600.

17. T.Saitoh a.o. Proceedings of 16^th European Photovoltaic Solar Energy Conference, 1-5 May 2000, Glasgow, UK.