Тема: Выращивание полупроводникового монокристалла с заданными свойствами

Технология материалов и изделий электронной техники. на тему. Выращивание монокристалла с заданными свойствами .
. Применение полупроводникового GaP. . Обзор современного состояния технологии производства полупроводниковых соединений.

При разработке технологии выращивания монокристаллов любого полупроводникового материала определяют: 1) условия, при которых обеспечивается надежное получение монокристаллов с заданной кристаллографической ориентацией, с оптимальными размерами и...

Технология материалов и изделий электронной техники. на тему. Выращивание монокристалла с заданными свойствами . Выполнил. Букреев В.П.
. Применение полупроводникового GaP. . Обзор современного состояния технологии производства полупроводниковых ...

Если в период становления полупроводникового производства могло быть использовано оборудование родственных производств...
...кристаллических решеток разнообразны Монокристаллы германия и кремния – вещества анизотропные, т.е. их свойства в различных...

1.4.1 Получение кремния полупроводниковой чистоты. 1.4.2 Выращивание монокристаллов .
...поверхностей, имеющих высокую степень плоскопараллельности при заданной кристаллографической ориентации, с полным отсутствием нарушенного слоя, минимальной...

...для создания области с заданным законом распределения легирующей примеси и определенной геометрией.
Широко применяемым методом получения легированных монокристаллов полупроводников является выращивание их из расплава, к которому добавлена...

Как и во всех других случаях, выращивание кристаллов из расплавов стехиометрического состава (или близкого к нему...
Так же достоинством метода Чохральского является возможность получения монокристалла с высокой однородностью распределения примеси...