Элементная база радиоэлектронной аппаратуры-2 (Контрольная)

  • Вид работы:
    Тип работы
  • Предмет:
    Электротехника
  • Язык:
    Русский
    ,
    Формат файла:
    MS Word
    75,89 kb
  • Опубликовано:
    2008-12-09
Вы можете узнать стоимость помощи в написании студенческой работы.
Помощь в написании работы, которую точно примут!

Элементная база радиоэлектронной аппаратуры-2 (Контрольная)

УПИ – УГТУ

 

Кафедра радиоприёмные устройства.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Контрольная работа № 2

по дисциплине: Элементная база радиоэлектронной аппаратуры.

Вариант № 17

Шифр:

 

Ф.И.О

Заочный факультет

Радиотехника

Курс: 3

 

 

 

 

 

 

 

 

                                                                                         Работу не высылать.

УПИ – УГТУ

 

Кафедра радиоприёмные устройства.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Контрольная работа № 2

по дисциплине: Элементная база радиоэлектронной аппаратуры.

Вариант № 17

Шифр:

 

Ф.И.О

Заочный факультет

Радиотехника

Курс: 3

 

 

 

 

 

 

 

 

                                                                                         Работу не высылать.

Аннотация.

 

                Целью работы является активизация самостоятельной учебной работы, развитие умений выполнять информационный поиск, пользоваться справочной литературой, определять параметры и характеристики, эквивалентные схемы полупроводниковых приборов.





Исходные данные:

 

 

Тип транзистора   …………………………………………………………………      ГТ310Б

Величина напряжения питания Еп ……………………………………………...          5   В

Сопротивление коллекторной нагрузки Rк ……………………………………       1,6   кОм

Сопротивление нагрузки Rн …………………………………………………….      1,8    кОм

Схема включения транзистора с общим эмиттером, с фиксированным током базы, с резистивно- ёмкостной связью с нагрузкой.





Биполярный транзистор ГТ310Б.

 

 

 

Краткая словесная характеристика:

                Транзисторы германиевые диффузионно- сплавные p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума высокочастотные маломощные.

                Предназначены для работы в усилителях высокой частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на этикетке.

                Масса транзистора не более 0,1 г..


Электрические параметры.

 

Коэффициент шума при ƒ = 1,6 МГц, Uкб= 5 В, IЭ= 1 мА не более …………….         3 дБ

Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала

                при Uкб= 5 В, IЭ= 1 мА, ƒ = 50 – 1000 Гц ………………………………..     60 – 180

Модуль коэффициента передачи тока H21э

при Uкб= 5 В, IЭ= 5 мА, ƒ = 20 МГц не менее …………………………...          8

Постоянная времени цепи обратной связи

                при Uкб= 5 В, IЭ= 5 мА, ƒ = 5 МГц не более ………………………….…     300 пс

Входное  сопротивление в схеме с общей базой

                при Uкб= 5 В, IЭ= 1 мА ……………………………………………………       38 Ом

Выходная проводимость в схеме с общей базой

                при Uкб= 5 В, IЭ= 1 мА, ƒ = 50 – 1000 Гц не более ……………………..       3 мкСм

Ёмкость коллектора при Uкб= 5 В, ƒ = 5 МГц не более …………………………          4 пФ


Предельные эксплуатационные данные.

 

 

Постоянное напряжение коллектор- эмиттер:

при Rбэ= 10 кОм ……………….…………………………………………         10 В

при Rбэ= 200 кОм ……………….………………………………………..           6 В

Постоянное напряжение коллектор- база ………………………………………...         12 В

Постоянный ток коллектора ………………………………………………………         10 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т = 233 – 308 К ………...         20 мВт

Тепловое сопротивление переход- среда ………………………………………...        2 К/мВт

Температура перехода …………………………………………………………….        348 К

Температура окружающей среды ………………………………………………...     От 233 до

      328 К

               

Примечание. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт, при Т = 308 – 328  К определяется по формуле:

 

PК.макс= ( 348 – Т )/ 2

 

Входные характеристики.

                Для температуры Т = 293 К :

Iб, мкА







200







160







120







80







40







0

0,05

0,1

0,15

0,2

0,25

0,3

0,35

Uбэ,В   

Выходные характеристики.

                Для температуры Т = 293 К :

 

мА    






9






8






7






6






5






4






3






2






1






0

1

2

3

4

5

6

Uкэ,В   

Нагрузочная прямая по постоянному току.


                Уравнение нагрузочной прямой по постоянному току для схемы включения с общим эмиттером:

Построим нагрузочную прямую по двум точкам:

                при  Iк= 0,  Uкэ= Еп = 9 В,  и при  Uкэ= 0,   Iк= Еп / Rк = 9 / 1600 = 5,6 мА

Iк ,

мА    









6









5









4




А




3

Iк0









2









1









0

1

2

3

4

5

Uкэ0

6

7

8

9

Еп   

Uкэ,В   

Iб, мкА








50








40








30

Iб0








20








10








0

0,15

0,17

0,19

0,21

0,23

0,25

0,27

0,29

Uбэ0

0,31

Uбэ,В   

Параметры режима покоя (рабочей точки А):

Iк0= 3 мА, Uкэ0= 4,2 В, Iб0= 30 мкА, Uбэ0= 0,28 В


Величина сопротивления Rб:

Определим H–параметры в рабочей точке.

Iк ,











6









5



 




4



ΔIк0

           

3











ΔIк

2








1









0

1

2

3

4

5

Uкэ0

6

7

8

9

Еп   

Uкэ,В   

                                                    ΔUкэ

Iб, мкА








50








40


   ΔIб




30

Iб0






20








10








0

0,15

0,17

0,19

0,21

0,23

0,25

0,27

0,29

Uбэ0

0,31

Uбэ,В   

                                                                                              ΔUбэ

 

ΔIк0= 1,1 мА, ΔIб0 = 10 мкА, ΔUбэ = 0,014 В, ΔIб = 20 мкА, ΔUкэ= 4 В, ΔIк= 0,3 мА


H-параметры:

Определим G – параметры.

               

                Величины G-параметров в рабочей точке определим путём пересчёта матриц:



G-параметр:

G11э= 1,4 мСм,  G12э= - 0,4*10 –6

 

                                           G21э= 0,15 ,        G22э=  4,1*10 –3 Ом



Определим величины эквивалентной схемы биполярного транзистора.

 


                Схема Джиаколетто – физическая малосигнальная высокочастотная эквивалентная схема биполярного транзистора:

               


Величины элементов физической эквивалентной схемы транзистора и собственная постоянная времени транзистора определяются соотношениями (упрощёнными):

 


Собственная постоянная времени транзистора:

Крутизна:






Определим граничные и предельные частоты транзистора.



Граничная частота коэффициента передачи тока:


 Предельная частота коэффициента передачи тока базы в схеме с общим эммитером:


Максимальная частота генерации:


Предельная частота коэффициента передачи тока эммитера в схеме с общим эммитером:



Определим сопротивление нагрузки транзистора и построим нагрузочную прямую.

Сопротивление нагрузки транзистора по переменному току:





                Нагрузочная прямая по переменному току проходит через точку режима покоя

Iк0= 3 мА, Uкэ0= 4,2 В и точку с координатами:

Iк= 0,  Uкэ= Uкэ0+ Iк0*R~= 4,2 + 3*10 –3 * 847 = 6,7 В

Iк ,

мА    









6









5









4




А




3

Iк0









2









1









0

1

2

3

4

5

Uкэ0

6

7

8

9

Еп   

Uкэ,В   

Определим динамические коэффициенты усиления.

 

Iк ,

мА    









6









5





А




4

           

ΔIк   

3

Iк0







2








1









0

1

2

3

4

5

Uкэ0

6

7

8

9

Еп   

Uкэ,В   

                                                     ΔUкэ

Iб, мкА








50








40


   ΔIб




30

Iб0






20








10








0

0,15

0,17

0,19

0,21

0,25

0,27

0,29

Uбэ0

0,31

Uбэ,В   

                                                                                              ΔUбэ

 

ΔIк= 2,2 мА,  ΔUкэ= 1,9 В,  ΔIб = 20 мкА,  ΔUбэ = 0,014 В


Динамические коэффициенты усиления по току КI  и напряжению КU определяются соотношениями:

                              Выводы:

               



Данная работа активизировала самостоятельную работу, развила умение

выполнять информационный поиск, пользоваться справочной литературой, определять параметры и характеристики, эквивалентные схемы полупроводниковых транзисторов, дала разностороннее представление о конкретных электронных элементах.








Библиографический список.

1) “Электронные приборы: учебник для вузов”  Дулин В.Н., Аваев Н.А., Демин В.П. под ред. Шишкина Г.Г. ; Энергоатомиздат, 1989 г..

2) Батушев В.А. “ Электронные приборы: учебник для вузов”; М.: Высш.шк., 1980г.

3) Батушев В.А. “ Электронные приборы: учебник для вузов”; М.: Высш.шк., 1969г.

4) Справочник “ Полупроводниковые приборы: транзисторы”; М.: Энергоатомиздат, 1985г..

5) Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам; М.: Энергия, 1976г..

6) Справочник “ Транзисторы для аппаратуры широкого применения  ”; М.: Радио и связь, 1981г..


Похожие работы на - Элементная база радиоэлектронной аппаратуры-2 (Контрольная)

 

Не нашел материал для своей работы?
Поможем написать качественную работу
Без плагиата!