Тема: Ионная имплантация

При этом имплантация проводится с малой энергией ионов. Общая траектория движения иона называется...
...потока нейтральных частиц, обмен энергии ионов с молекулами газов, вторичная электронная эмиссия из мишени, эфект обратного ионного распыления.

Ионная имплантация – процесс внедрения в твердотельную подложку ионизированных атомов с энергией достаточной для проникновения их в приповерхностные области подложки (от килодо мегаэлектронвольт).

На сегодняшний день, одним из перспективных методов ионно -лучевой обработки является ионная имплантация [1, 2, 12] – внедрение ускоренных ионов в твердые тела. Ионная имплантация приобрела в последнее время большое значение не только как способ...

Ионная имплантация - эффективный метод технологической обработки, основанный на взаимодействии управляемых потоков ионов с поверхностью твердого тела с целью изменения его свойств, связанных с атомной структурой.

5. Ионная имплантация областей истока и стока. Для уменьшения числа фотолитографий сначала проводят имплантацию бора без маскирования в истоки и стоки как n -, так и р - канальных транзисторов.

...физическое распыление (4). Ионы могут проникать в кристаллическую решетку и захватываться там, израсходовав свою энергию ( ионная имплантация ) (5) . В результате химических реакций ионов с поверхностными атомами на поверхности образуются новые.

...физическое распыление (4). Ионы могут проникать в кристаллическую решетку и захватываться там, израсходовав свою энергию ( ионная имплантация ) (5) . В результате химических реакций ионов с поверхностными атомами на поверхности образуются новые.