Расчет параметров структуры интегрального n-p-n транзистора и определение...
...наращивания, имплантации, длительность и температура диффузии , рассчитываются профили распределения примеси .
Метод разработки: аналитический расчет . Полученные результаты: xjСС = 8,49 мкм, hЭС 6 мкм, ЭС = 0,4 Ом*см, xjРД = 7,062 мкм, xjКБ = 3...