Комбинационная схема управляющая семисегментным индикатором
Введение
Микроэлектроника - это современная квинтэссенция
электроники, в которой ее информационные свойства достигают максимума, то есть
плотность потоков информации на единицу веса намного превосходят таковую в
остальной электронике, а тем более в электротехнике. Задача микроэлектроники -
сугубо обработка информации.
Также, как в свое время электроника выделилась
из электротехники своими информационными функциями, - сначала лишь передачей
информации (телеграфия XIX века, телефония на рубеже XIX - XX веков,
радиотехника в первой половине XX века), а затем управлением (релейная техника,
управление электрическими сетями и электроприводом), сбором и обработкой
информации, так же и микроэлектроника выделилась из электроники, как ее
передовая часть, с еще большим превалированием информационных потоков над
энергетическими и вещественными. Микроэлектроника родилась не сразу, а
эволюционно, в течение многих десятилетий.
Рассматривая это развитие в ключе электронного
конструктива и монтажа, можно выделить следующие этапы развития.
На первом этапе технология электроники опиралась
на навесной радиотехнический монтаж: навесные детали, паяные соединения
монтажным проводом, клеммники, разъемы. Этот этап длился около столетия - с
середины XIX века по середину XX века.
В 1940-х годах появилась новая технология -
печатные платы. Их изготовляли методом фотолитографии с последующим травлением
фольгированных диэлектрических листов, печатных плат. Новая технология
позволила сократить затраты ручного труда на пайку и монтаж. Появились
автоматизированные монтажные линии, осуществлявшие автоматическую сборку
деталей на печатных платах и пайку волной, то есть кратковременным погружением
в кювету с припоем. Электронные устройства стали более миниатюрными,
модульными, легкими, устойчивыми к механическим воздействиям, более надежными
благодаря замене навесных проводов печатными проводниками, плотно приклеенными
к основанию платы.
В связи с изобретением точечного германиевого
транзистора в 1948 году в лаборатории Bell Telephone Laboratories и созданием
плоскостных кремниевых транзисторов в 1953 году на фирме Texas Instrument
Incorporation и налаживанием их группового производства, которые в отличие от
электронных ламп не рассеивали большого количества тепла, в 1950-х годах
появилась технология микромодульного монтажа, когда сложный интегральный модуль
собирался в виде этажерки отдельных микромодулей - маленьких печатных плат
стандартного размера. При этом достигалась высокая плотность упаковки
электронных компонентов. Однако эта технология быстро изжила себя в связи с
появлением следующего поколения монтажа, но впоследствии возродилась в виде
многослойных печатных плат.
В 1960-х годах появились первые микросхемы -
гибридные интегральные схемы на основе тонкопленочной технологии, когда
проводники изготавливались напылением металла на тонкие диэлектрические (обычно
стеклянные) пластинки - подложки. На них пайкой монтировались бескорпусные
электронные компоненты: транзисторы, диоды, емкости и резисторы. Последние
часто изготавливались напылением резистивного слоя на стеклянную подложку.
После создания первой интегральной схемы на
основе монокристаллической полупроводниковой технологии в 1961 году на фирме
Fairchild Semiconductor, представляющей собой триггер, состоящий из четырех
биполярных транзисторов и двух резисторов, началось развитие настоящих
полупроводниковых микросхем, которые вначале часто использовались как
электронные компоненты гибридных микросхем. Таким образом, в 1970-х годах
произошел поворот электронной промышленности к разработке всё более сложных
микросхем, использующих лишь единственный кристалл кремния ("чип").
1. Общая часть
.1 Назначение устройства
На рисунке в виде “черного ящика” показана
комбинационная схема (КС) управляющая семисегментным индикатором.
На вход схемы подаются различные комбинации
двоичных сигналов X1 - X4.
На индикатор предполагается выводить лишь отдельные цифры из множества
шестнадцатеричных цифр. На выходе Y
должна быть единица, если соединенный с этим выходом сегмент должен загореться
при отображении цифр (для функциональной схемы).
Требуется:
. Составить совмещенную таблицу истинности для
X1 - X4, комплект карт
Карно для функции Y, провести
минимизацию в СДНФ и записать логические формулы, выражающие Y
через X1 - X4, выполнить
преобразование этих формул к виду, обеспечивающему минимально возможную
реализацию КС в системе логических элементов ТТЛ серии типа К155 или К555;
. Выполнить принципиальную электрическую схему
устройства.
. Провести расчет быстродействия и мощности.
. Выполнить расчет надежности.
.2 Составление таблицы истинности работы
устройства
Для создания электрической принципиальной схемы
выстраиваем таблицу истинности работы устройства по следующему набору
комбинаций 1,2,3,5,7,9,A,B,С.
|
X1
|
X2
|
X3
|
X4
|
Y1
|
Y2
|
Y3
|
Y4
|
Y5
|
Y6
|
Y7
|
1
|
0
|
0
|
0
|
1
|
1
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
1
|
2
|
0
|
0
|
1
|
0
|
1
|
1
|
0
|
1
|
1
|
1
|
0
|
3
|
0
|
0
|
1
|
1
|
1
|
1
|
0
|
1
|
0
|
1
|
1
|
5
|
0
|
0
|
1
|
0
|
1
|
1
|
1
|
0
|
1
|
1
|
7
|
0
|
1
|
1
|
1
|
1
|
1
|
0
|
0
|
0
|
0
|
1
|
9
|
1
|
0
|
0
|
1
|
1
|
1
|
1
|
1
|
0
|
1
|
1
|
A
|
1
|
0
|
1
|
0
|
1
|
1
|
1
|
1
|
1
|
0
|
1
|
B
|
1
|
0
|
1
|
1
|
0
|
0
|
1
|
1
|
1
|
1
|
1
|
С
|
1
|
1
|
0
|
0
|
0
|
1
|
1
|
0
|
1
|
1
|
0
|
.3 Минимизация логической функции
Составление СДНФ по таблице, построение карт
Карно и минимизирование их.
1.4 Выбор и обоснование функциональной схемы
устройства
Построение схемы на основе карт Карно
1.5 Выбор и обоснование элементной базы
проектируемого устройства
Синтез электрической принципиальной схемы в
базисе «И-НЕ» можно сделать путем преобразования следующих формул:
Я сделал это потому что в базисе «ИЛИ» нету 4-х
и 5-ти ходовых микросхем серии К155 и К555.
В результате получаем схемы отрицания:
Для проектирования устройства было
предложено выбрать элементы ТТЛ серий К155 и К555.
В таблице показано сравнение главных
характеристик выбранных микросхем К155 и К555 серий.
Обознач.
параметры
|
ЛА1
|
ЛА2
|
ЛА4
|
|
К155
|
К555
|
К155
|
К555
|
К155
|
К555
|
Потребляемая
мощность, мВт
|
78,8
|
7,88
|
21
|
4.2
|
59,1
|
11,8
|
Время
задержки, нс
|
22
|
20
|
15
|
33
|
22
|
20
|
Коэффициент
разветвления
|
10
|
20
|
10
|
20
|
10
|
20
|
После сравнения характеристик этих двух серий я
выбрал К555 серию, так как:
. Коэффициент разветвления у неё в два раза
больше, чем у 155 серии, что в дальнейшем даст возможность не использовать
дополнительные резисторы на входе схемы;
. Элементы К555 серии потребляют меньше мощности
в отличие от серии 155, так как при незначительном отличии в быстродействии,
разница в энергопотреблении очень существенна.
Потребляемая мощность - значение
мощности, потребляемой микросхемой от источников питания в заданном режиме;
Время задержки - интервал времени между входным
и выходным импульсами.
Коэффициент разветвления - число единичных
нагрузок, которые можно подключить одновременно к выходу микросхемы.
В моей схеме используется микросхемы серии
К555:ЛА1, ЛА2, ЛА4, ЛН1.
Элементная база устройства
Цифровой индикатор АЛС113Е.
2. Специальная часть
.1 Ориентировочный расчет быстродействия и
потребляемой мощности устройства
Расчет быстродействия устройства:
Ток индикатора равен 5мА, а
напряжение равно 2В. Из этого следует, что мощность индикатора равна Р = I * U :
Pинд = 5 * 2
= 10мВт
Расчет мощности устройства:
.2 Расчет вероятности безотказной
работы устройства сравнения и среднего времени наработки на отказ
семисегментный индикатор
электрический схема
Данные для расчета надежности
устройства показаны в таблице 2.1.
Таблица 2.1
Наименование
и тип элемента
|
Обозначение
в схеме
|
Кол-во
элементов
|
lо*10-6
|
Режим
работы
|
Поправ
коэф кl
|
Коэф.а
|
li
|
ni li
|
|
|
|
|
Кн
|
tс
|
|
|
|
|
ИМС
c закрытым
коллектором
|
D1-D12
|
12
|
0.1
|
1
|
50
|
1
|
2,7
|
0,27
|
3,24
|
Индикатор
|
VD1-VD7
|
7
|
5
|
1
|
50
|
1
|
1,6
|
8
|
56
|
Расчет надёжности устройства:
Расчет времени наработки до отказа:
Расчет Р(t) производится по общей
формуле .
Имея значения P(t)
в десяти точках, можно построить графически зависимость P(t).
В данном курсовом проекте я разработал
электрическую принципиальную схему управления семисегментного индикатора.
По заданию, я составил таблицы истинности и
минимизировал логическую функцию. Затем получил сигналы которые поступят на
индикатор, пройдя инверсию. Преобразовав полученные формулы и выделив
повторяющиеся блоки, оптимизировал работу схемы. В схеме используются
микросхемы серии К555, так как во-первых они новее чем серия К155, а во-вторых
они потребляют меньше мощности. Также рассчитывал быстродействие, потребляемую
мощность, вероятность безотказной работы устройства. Затем графически показал
зависимость P(t).
Список использованной литературы
1. Мышляева
И.М. «Цифровая схемотехника: Учебник для сред. проф. Образования / Ирина
Михайловна Мышляева. - М.: Издательский центр «Академия», 2005. - 400с.»
2. Голомедова
А.В. «Полупроводниковые приборы, диоды высокочастотные, диоды импульсные,
оптоэлектронные приборы: Справочник/А.Б. Гитцевич, А. А. Зайцев, В.В Мокряков и
др.; Под ред. А.В. Голомедова - М : Радио и связь, 1988 - 592 с.: ил»
3. Нефедов
А.В. Интегральные микросхемы и их зарубежные аналоги: Справочник. Серии
К544-К564.-М.; KУбК-а, 1997г
4. http://alnam.ru/book_spre.php?id=16
5. http://bourabai.kz/toe/ic0.htm