, а отже,
збільшити чутливість.
1.5
Р-і-n-фотодіоди
Широке застосування в якості
швидкодіючих фотоприймачів отримали р-і-n-фотодіоди. Конструкція такого ФД
зводиться до наступного [ 1 ].
На протилежних площинах пластини високоомного кремнія (ρ
= 2 - 10 кОм·см і більше) епітаксією
вирощують низькоомні шари р+ і n+ - типів провідності.
Товщина n+ - шару складае 30 - 50 мкм, р- шару - 2 - 4 мкм. Потім
пластину окислюють і, використовуючи фотолітографію, створюють омічні контакти
до р+ і n+ - областей. Верхній р+ - шар
виготовляють також методом іонної імплантації або дифузією в плівку окислу, що
грає роль антивідбиваючого покриття на робочій поверхні. Товщина високоомної і
- області складає W=40
- 50 мкм. На рис. 1.5.1 зображена зонна діаграма р-і-n-фотодіода.
Рисунок. 1.5.1 -
Зонна діаграма р-і-n-фотодіода
При оберненому зміщені в і - області
виникає електричне поле. Якщо напруга U
більша ніж Uвис
(напруга виснаження), то область просторового заряду заповнює всю і - область.
Поле ОПЗ забезпечує розділ носіїв, малі рекомбінаціїні втрати і високу
швидкодію фотодіодів.
На практиці зручно використовувати
епітаксійну n+-n
- структуру зі слабо легованим тонким (10 - 50)
мкм n
-
шаром. Після проведення дифузії бору для створення р+ - області та
прикладення напруги, що збіднює увесьn
-
шар отримуємо ФД характерного р-і-n-типу.
Такі параметри, як оптимальна
довжина хвилі, ємність ФД і його частотна характеристика можуть бути
розраховані та уточнені в процесі виготовлення р-і-n
-
структури, що й буде зроблено.
2.
Розрахунок конструкції ФД
.1
Технічне завдання
Завданням роботи є розробка,
виготовлення та дослідження чотириелементного швидкодіючого р-і-n-фотодіода,
призначеного для комплектації систем орієнтації по лазерному світловому зонду
на довжині хвилі випромінювання λ ≈ 0,9 мкм.
Фотодіод повинен бути виготовлений на підкладці n
- типу провідності.
Отже, потрібно розробити р-і-n-фотодіод
в безкорпусному виконанні, а точніше кристал фотодіода. Конструкцією не
передбачається планарної конструкції виведення контактних площадок до
електродів кристалу.
Габаритні розміри кристалу - не
більше 5,0 х 5,4 мм2, форма фоточутливих елементів - квадрат, розмір
кожного ФЧЄ- 2,0 х 2,0 мм2, товщина кристалу не нормується.
Вимоги до фотоелектричних параметрів
ФД такі:
1) робоча
напруга - 10 В;
2) темновий
струм Iт
при робочій напрузі при температурі 20 оС - не більше 100 нА;
3) струмова
монохроматична чутливість SIλ
на
довжині хвилі 0,9 мкм - не менше 0,15 А/Вт;
4) час
наростання та спаду фотосигналу по рівню 0,1 - 0,9 (τ0.1-0.9)
на опорі навантаження Rн=500
Ом - не більше 40 нс.
Отже, потрібно здійснити розрахунки
можливості реалізації заданого рівня фотоелектричних параметрів, розробити
конструкцію, виготовити такий фотодіод та провести вимірювання його параметрів.
2.2
Вибір матеріалу для виготовлення ФД
Перед початком розрахунку можливості
реалізації заданого технічним завданням рівня фотоелектричних параметрів слід
вибрати матеріал для розробки та виготовлення ФД. Виходячи з того, що ФД буде
приймати світлове випромінювання на довжині хвилі λ
≈ 0,9 мкм, матеріалом для виготовлення
вірогідніше всього може бути монокристалічний кремній або германій.
Однак, вибір був зупинений на
монокристалічному кремнії. Це пов’язано
з наступними міркуваннями.
По-перше, реалізація заданого рівня
темнового струму для ФД, виготовлених з германію практично неможлива. Типові
значення темнових струмів у германієвих ФД - одиниці - десятки мікроампер (при
заданій ТЗ площі ФЧЄ). Крім того, у германієвих ФД сильна залежність темнового
струму від температури, що пов’язано з меншою, ніж у кремнія, шириною
забороненої зони.
По-друге, вартість монокристалічного
германію набагато вища, ніж монокристалічного кремнію. Використання германію
призведе до високої ціни германієвих ФД.
По-третє, монокристалічний германій
виробляється в зливках малого діаметру. Отже, на одній пластині буде відносно
мало кристалів ФД, що призведе до підвищення їх працевмістності.
Отже, вибір слід зупинити на
монокристалічному кремнії. Він виробляється в широкому типономіналі марок як у
вигляді зливків різного діаметру, так і у вигляді епітаксійних пластин згідно
різних Технічних умов.
Зокрема, промисловістю виробляється
кремній монокристалічний в зливках по ТУ48-4-295, кремній монокристалічний для
фотоприймачів по ТУ48-4-363 та кремній монокристалічний особливочистий по
ТУ48-4-504.
Монокристалічний кремній
виробляється також у виглляді епітаксійних структур: структури кремнієві
епітаксійні одношарові у відповідності з ТУ 48-0533-005 та структури кремнієві
одношарові обернені епітаксійні у відповідності з ТУ 48-4-473.
Конкретна марка кремнію, що була
вибрана після розрахунку можливості реалізації заданого рівня фотоелектричних
параметрів (див. нижче) така: структура кремнієва епітаксійна одношарова з
високомним епітаксійним шаром
де ВКС - структура кремнієва
епітаксійна одношарова з високоомним епітаксійним шаром;
- діаметр пластини, мм;
- товщина високоомного шару,
мкм;
КЭ - кремній n -
типу провідності;
·1013 -
концентрація носіїв в високоомному шарі, відповідає питомому опору 600 Ом·см;
- товщина епітаксійної
пластини;
ЭКЭС 0,01 - матеріал
низькомної підкладки згідно нормативно-технічної документації на
монокристалічний кремній;
,01 - питомий опір
низькоомної підкладки, Ом·см;
б - індекси додаткових вимог;
(111) - кристалографічна
орієнтація низькоомного і високоомного шару.
2.3
Опис конструкції ФД
Загальний вид фотодіода та
схематичний розріз кристала (одного ФЧЕ), виготовленого на епітаксійній
пластині n
- типу провідності методом планарно-дифузійної технології, має вигляд згідно
рис. 2.3.1.
Якщо в якості підкладки використана,
наприклад, пластина типу ВКС по ТУ 48-0533-005, то товщина її високоомного шару
n з питомим опором
600 Ом·см може складати від 10 до 50 мкм. Загальна товщина пластини ВКС - 350
мкм, отже товщина низькоомного n+
- шару з питомим опором
0,01 Ом·см буде складати
300 - 340 мкм. Зрозуміло, що таке низьке значення питомого опору низькоомного
шару дозволяє безпосередньо на нього напиляти металічні контакти. З точки зору
надійності та низького опору найкращими є золоті контакти товщиною 0,7 мкм з
підшаром хрому товщиною 0,01 мкм. Такі товщини є оптимальними, вони
відпрацьовані технологічно. Замість епітаксійних пластин ВКС для виготовлення
кристалів можуть бути використані пластини, виготовлені, наприклад, з кремнію
марки КБ-12/600 по ТУ 48-4-363.
Рис. 2.3.1 - Загальний вигляд ФД та
схематичний розріз кристалу ФД (одного ФЧЕ)
Кристали виготовляються з пластин товщиною 350
мкм. Механічна міцність таких пластин достатня для проведення термічних
процесів. Питомий опір матеріалу таких пластин - 600 Ом·см.
Зрозуміло, що у таких пластин
відсутній n+-шар
і його
слід створити для омічного контакту з металізацією, здійснивши додаткове
підлегування оберненої сторони пластини методом термічної дифузії фосфору.
Тобто на обернененому боці пластини слід створити
ниькоомний n+-шар
тощиною до 1 мкм та поверхневим опором не менше 20 Ом/.
На передньому боці пластини формується методом
термічної дифузії бору p+-шар..
Глибину
переходу
слід вибирати згідно [4], щоб
p+-n-перехід
мав пробивну напругу
значно більше 10 В.
На передьому боці пластини термічним шляхом
формується захисний шар окислу SiO2зах.
Його товщина понинна надійно захищати від закорочення межу p+-n-переходу,
що виходить на поверхню.
Товщина шару просвітляючого шару δ
≈
0,16 мкм окислу SiO2просв
(рис. 2.3.1) над дифузійною p+
-
областю
створюється для мінімального відбивання світла від її поверхні. Вибір саме
такої товщини буде пояснений нижче.
При прикладенні до p+-n-переходу
робочої напруги 10 В (напруга, зрозуміло, прикладається в оберненому напрямку)
у кристалі створюється область просторового заряду (ОПЗ) d.
У зв'язку з тим, що перехід різко асиметричний,
практично вся область просторового заряду формується в високомній n-області.
Таким чином, методами фотолітографії,
термічного окислення, дифузії бору та фосфору, хімічного травлення, напилення
золота з підшаром хрому, травлення металічної плівки, різки пластини на окремі
елементи формується кристал фотодіоду, власне безкорпусний p-і-n-фотодіод.
Його
розмір (5,0
х 5,4)
мм2, товщина приблизно рівна 350 мкм, розмір фоточутливого елементу
(практично p+-області)
(2,0
х 2,0)
мм2, проміжок між ФЧЕ - 0,3 мм.
Контактна площадка (див. рис. 2.3.1) до
p+-області
формується у вигляді прямокутника шириною
185 мкм.
Габаритні розміри фотодіода
(визначалися можливістю монтажу фотодіода в стандартні та нестандартні
метало-скляні корпуси, а розміри ФЧЕ - необхідністю детектування слабких
світлових потоків випромінювання.
Фотодіод виконаний у безкорпусному варіанті з
привареними до кристалу виводами. Для виводів використаний золотий дріт типу
кр. Зл 999,9-0,05 діаметром 50 мкм. Приварювання виводів здійснювалось методом
контактного зварювання. Місця зварювання укріплювались
епоксидно-поліамідним компаундом. Місце зварювання до оберненого боку кристалу
також укріплювалось епоксидно-поліамідним компаундом.
Для виготовлення кристалу був
виготовлений комплект фотошаблонів (три фотошаблони):
шаблон для формування чотирьох
фоточутливих елементів;
шаблон для формування контактних
вікон до фоточутливих елементів;
шаблон для формування контактів
фоточутливих елементів.
На передній грані кристалу методом
термічного хлорного окислення формувався захистний шар оксиду кремнію товщиною
не менше 0,4 мкм. У подальшому він служив маскою для формування фоточутливих
елементів.
Фоточутливі елементи формувались
методом дифузії бору із твердотільних джерел. Глибина p-n-переходу у ФД повинна
складати 1 - 2 мкм. При цьому поверхневий опір шару ρs
повинен бути рівним (120 ± 20) Ом/.
Під час другої стадії дифузії бору,
а саме розгонки бору в атмосфері кисню, формувався просвітлюючий шар оксиду
кремнію товщиною не менше 0,16 мкм. Така товщина шару мінімізує відбивання
світла від поверхні фоточутливого елемента.
2.4
Розрахунок можливості реалізації рівня фотоелектричних параметрів
.4.1
Розрахунок можливості реалізації вимоги по струмовій монохроматичній чутливості
Відомо, що струмова монохроматична чутливість p-i-n-фотодіода
визначається
за формулою (1.4.2).
Для умов безкорпусного фотодіода Т = 1, бо
вхідне вікно відсутнє. Товщина просвітячого
покриття SiO2просв
над дифузійною р+-областю для p-i-n-фотодіода
формується для умови мінімального відбивання [5]:
, (2.4.1.1)
де λ = 0,9
мкм - робоча довжина хвилі оптичного випромінювання;
n = 1,46 - показник
заломлення оксиду
кремнію;
k =
1, 3, 5 (непарні).
Отже, для першого мінімуму
відбивання (k =
1) на довжині хвилі 0,9 мкм δ ≈
0,154 мкм. Виходячи з графіка залежності пропускання монохроматичного
випромінювання просвітляючим покриттям на поверхні кремнія від товщини цього
покриття [6], визначаємо коефіцієнт відбивання R =
0,065 (R = 1
- T)
(рис. 2.4.1.1).
Для визначення коефіцієнта
збирання носіїв р+-n-переходом необхідно
розглянути процес поглинання світла в кремнієвому кристалі р-i-n-ФД (рис.
2.4.1.2).
Умовно кристал можна поділити на три
зони поглинання світла: I - зона поглинання в дифузійній p+-області; II - зона
поглинання в ОПЗ; III - зона поглинння в
електронейтральній зоні (товщиною n+-області рівною
1
мкм можна знехтувати).
Рисунок 2.4.1.1 - Залежність
коефіцієнта пропускання від довжини хвилі
Коефіцієнт збирання генерованих
світлом носіїв заряду р+-n-переходом в
зонах I - III
визначається згідно [7] за формулою
, (2.4.1.2)
де k - номер
шару поглинання;
a - коефіцієнт поглинання
світла для l = 0,9 мкм;
xk-1 -
координата початку зони k;
xk -
координата закінчення зони k (за початок координат х = 0 взята
межа розділу Si - SiO2).
Рисунок 2.4.1.2 - Схема поглинання світла в
кремнієвому кристалі p-i-n-ФД
Адже при цьому носії будуть досягати
р+-n-переходу
шляхом дрейфу. Тоді струмова
монохроматична чутливість буде рівна
, (3.4.1.3)
де h1, h2 -
коефіцієнти збирання генерованих носів заряду в зонах I, II відповідно.
Для зони I: xk-1 = 0, xk = 1,3 мкм
= 1,3·10-4 см. При визначенні η1
слід його значення, отримане по формулі (2.4.1.2), зменшувати мінімум у два
рази. Це пов'язане
з тим, що носії в зоні I мають малий
час життя і далеко не всі досягають досягати р+-n-переходу.
Для визначення коефіцієнту
поглинання α для
світла з λ =
0,9 мкм слід скористатись графіком залежності коефіцієнта поглинання світла в
кремнії від довжини хвилі [8] (Рис. 2.4.1.3).
З графіка визначаємо, що для λ = 0,9 мкм α = 320 см-1.
Після розрахунку по (2.4.1.2), з
урахуванням зауваження, знаходимо, що η1 =
0,02.
Для зони II: xk-1 = 1,3, xk - практично
рівне ОПЗ.
Слід
визначити при якій товщині зони II (xk - xk-1) можна
досягти значення струмової монохроматичної чутливості рівної 0,15 А/Вт на
довжині хвилі 0,9 мкм.
Рисунок 2.4.1.3 - Залежність
коефіцієнта поглинання світла від довжини хвилі для кремнію і германію
Після перетворень, з використання формул
(2.4.1.2), (2.4.1.3) та значень xk-1
та xk для кожної із зон,
отримаємо потрібну ширину зони II.
Вона приблизно рівна 9 мкм.
З урахуванням того, що в дифузійній зоні
коефіцієнт збирання носіів може бути меншим, ніж отримано розрахунком, сама р+-область
формується за рахунок високоомного n-шару
слід мати ширину зони II
16 - 20 мкм. Саме такі високоомні епітаксійні шари у обернених епітаксійних
кремнієвих структур по ТУ 48-4-473.
Слід ще зробити розрахунок ОПЗ d
(рис. 2.4.1.2) р+-n-переходу
кристалу, виготовленого з епітаксійної структури з питомим опором високоомного
шару ρn
= 600 Ом·см.
ОПЗ d
для різко асиметричного переходу визначається згідно [9]
за
формулою
, (2.4.1.4)
де ε0 = 8,85·10-14
Ф/см - діелектрична
стала;
ε = 11,9 - діелектрична
проникність кремнію;
φ = 0,5 В -
контактна різниця потенціалів в незміщеному p+-n-переході;
U = - 10
В - робоча напруга, прикладена до p+-n-переходу;
μn =
1417 см/В·с -
рухомість електронів в кремнії;
ρn = 600 Ом см - питомий
опір n-шару.
Після підстановки значень
констант та табличних значень у формулу (2.4.1.4) отримуємо емпіричну формулу
залежності ОПЗ від прикладеної напруги та питомого опору матеріалу
, (2.4.1.5)
При цьому, d визначається
у мкм, а ρn - в Ом·см. Отже,
ОПЗ у високоомній n- області з ρn = 600 Ом·см при
напрузі U = - 10
В буде складати ≈ 42 мкм. Якщо вибрати для виготовлення ФД пластину марки ВКС з
товщиною високоомного епітаксійного шару W =
20 мкм (рис. 2.3.1), то ОПЗ в ній більше буде більшою W.
Тому наші міркування про необхідність поглинання світла в ОПЗ в кількості,
необхідній для реалізації вимоги по струмовій монохроматичній чутливості вірні.
Для виготовлення ФД можна
використовувати епітаксійну структуру типу ВКС з товщиною епітаксійного шару W =
20 мкм. Конкретна марка записана в розділі "Вибір матеріалу для
виготовлення фотодіоду".
2.4.2
Розрахунок можливості реалізації вимоги по часу наростання та спаду
Критичним для реалізації може
виявитись досягнення рівня часу наростання/спаду фотоструму по рівню 0,1 - 0,9
на довжині хвилі 0,9 мкм на опорі навантаження 500 Ом - не більше 20 нс.
Як відомо з [1],
час наростання (спаду) фотоструму при засвітці фотодіода світловим імпульсом у
загальному випадку буде визначатись за формулою
, (2.4.2.1)
де τдиф -
час дифузії генерованих неосновних носіїв заряду (ННЗ), тобто дірок в
електрично нейтральній області до області просторового заряду (ОПЗ);
τдр -
час дрейфу ННЗ до p+-n-переходу;
τRC - RC - складова часу
наростання (спаду) фотоструму.
Із загальних міркувань
зрозуміло, що час наростання (спаду) по рівню 0,1 - 0,9 буде приблизно рівним
часу, за який носії з глибини 90 % - го поглинання енегії світла (від того
рівня енергії, що ввійшов у напівпровідник) на довжині хвилі l = 0,9 мкм,
досягнуть p+-n-переходу
та дадуть вклад у фотострум.
Відомо з [1], що
монохроматичне випромінювання поглинається згідно закону
, (2.4.2.2)
де I - інтенсивність
випромінювання, що проникло на глибину х;
I0 - інтенсивність
світла на поверхні напівпровідника;
α - коефіцієнт поглинання світла;
х - глибина проникнення світла.
При 90 - % - му поглинанні світла I= 0,1·I0.
Раніше було встановлено, що
для λ
= 0,9 мкм
α
≈ 320 см-1.
Отже, глибина 90 - % -го поглинання для робочої довжини хвилі буде визначатись
як x = = ln10/α =
71,9·10-4
см
≈ 72 мкм.
Але ж, як було визначено
вище, ОПЗ р+-n-переходу
кристалу, виготовленого з епітаксійної
структури з питомим опором високоомного шару ρn = 600 Ом·см може бути
рівною 42
мкм. Реально ж ОПЗ буде лише трохи більшою 20 мкм. Далі вона практично не
розповсюджується, бо починається низькоомний шар з питомим опором 0,01 Ом·см (рис.
2.3.1).
Таким чином, в епітаксійній
структурі час, за який носії, генеровані світлом з довжиною хвилі λ =
0,9 мкм
на глибині 90 - % - го поглинання, досягнуть p+ - n-переходу,
фактично буде рівний часу дрейфу носіїв з глибини 20 мкм високоомного
епітаксійного шару. Це пов'язано ще й з тим, що носії, генеровані світлом в n+-шарі
у ньому ж і рекомбінують, і дифузії генерованих носіїв з n+-шару
в ОПЗ не буде, адже час життя носіїв в n+ -
шарі дуже малий. Отже,
час дрейфу носіїв до p+-n - переходу
буде визначатись по формулі
, (2.4.2.3)
де W -
товщина високомного епітаксійного n - шару;
Vсер -
середня швидкість дрейфу носіїв (дірок).
Залежність швидкості дрейфу
від напруженості електричного поля в кремнії згідно [6] має
вигляд, зображений на рис. 2.4.2.1.
Максимальна напруженість поля
в n-шарі при
його товщині, наприклад, 20 мкм (епітаксійна структура), при прикладенні напруги
10 В буде складати E = U/W = 10/20·10-4
= 5·105
(В/см).
З графіка видно, що швидкість дрейфу дірок при
напруженості електричного поля 5·105
В/см буде
складати приблизно 8,4·106
см/с. Отже, середня швидкість дрейфу буде приблизно рівна 4,2·106
см/с.
Таким чином, час дрейфу
носіїв у структурі з товщиною високоомного епітаксійного шару 20 мкм при
напрузі 10 В згідно формули (2.4.2.3) буде рівний τдр =
20·10-4/
4,2·106
≈ 5·10-10
с = 0,5 нс. Таким чином, час дрейфу носіїв значно менший за норму часу наростання
(спаду) згідно технічного завдання- не більше 20 нс.
Рисунок 2.4.2.1 - Залежність
швидкості дрейфу від напруженості поля
Потрібно ще визначити чи не буде RC
- складова часу наростання (спаду) для ФД,
виготовленого з епітаксійного кремнію, перевищувати норму технчного завдання.
Наявність RC - складової
повязана з тим, що ФД, по суті, являє собою для електричного струму RC-фільтр.
У ньому опором є опір навантаження, а ємністю практично є ємність p+-n-переходу.
Як відомо з [10]
RC - складова
часу наростання (спаду) визначається за формулою
, (2.4.2.4 )
де R = Rн =
500
Ом - опір
навантаження;
С - ємність p+-n-переходу.
Ємність p+-n-переходу
буде визначатись за формулою для плоского конденсатора [8]
, (2.4.2.5)
де А = 2,0·2,187·10-6
м2 ≈ 4,4·10-6 м2
- площа p+-n-переходу;
W = 20·10-6
м
- товщина епітаксійного шару, фактично ОПЗ.
Отже, ємність p+-n-переходу
буде рівною
С = 11,7·8,85·10-12·4,4· ·10-6/20·10-6
≈
23 пФ = 2,3·10-11 Ф.
Тоді RC - складова
часу наростання (спаду) буде рівна
τRC = 2,2·2,3· ·10-11·5·102
≈
25,3·10-9 с
= 25,3 нс.
Загальний час наростання
(спаду) по рівню 0,1 - 0,9 буде рівний
τ0,1 - 0,9 = √
(0,52
+ 4,62) ·10-18 = 25,3·10-9
с = 25,3 нс.
Отже, норму технічного завдання по
часу наростання (спаду) по рівню 0,1 - 0,9 на довжині хвилі оптичного
випромінювання λ = 0,9 мкм при робочій напрузі 10 В
на опорі навантаження 500 Ом можна виконати. Для цього кристал фотодіда слід
виготовити з пластин епітаксійного кремнію, опір високоомного епітаксійного
шару якого складає 600 Ом·см, а товщина 20 мкм.
2.4.3
Розрахунок можливості реалізації вимоги по темновому струму
Для різко асиметричного p+-n-переходу
при робочій напрузі Up
>> kT/q,
де k = 1,38·10-23
Дж/К - стала Больцмана, Т - температура в градусах Кельвіна, а q
= 1,6·10-19 Кл - заряд електрона, дифузійна складова темнового
струму визначається згідно [4] по формулі
, (2.4.3.1)
де Dр = 12,3 см2/с
- коефіцієнт дифузії дірок;
ni = 1,45·1010
см-3 - власна концентрація носіів у кремнії;
Nд -
концентрація донорів в слабо легованій n -області;
Lр - дифузійна
довжина вільного пробігу дірок;
А = 0,81 мм2 - площа ФЧЕ.
Як відомо з [10], концентрація
основних носіїв заряду, практично концентацію легуючої домішки (для нашого
випадку електронів) зв’язана з питомим опором матеріалу rn виразом: Nд = 1/qrnmn..
Дифузійна складова темнового струму
розробленого ФД у випадку поганого збереження початкової дифузійної довжини
вільного пробігу дірок, зумовленого технологічними процесами виготовлення
кристалу, може перевищити норму ТЗ. Розрахунки по (3.4.3.1) показують, що
реалізація технічного завдання по нормі темнового струму (не більше 10 нА)
можлива при збереженні дифузійної довжини електронів на рівні не менше 7 - 8
мкм. Реально ж дифузійна довжина вільного пробігу після проведення
технологічних процесів більша.
Для випадку обернено-зміщеного p+-n-переходу p-i-n-ФД темновий
струм визначається ще його генераційною та поверхневою складовими [4].
Генераційна складова темнового
струму визначається за формулою
, (2.4.3.2)
де ti - величина,
обернена до темпу генерації в області просторового заряду (ОПЗ) обернено
зміщеного p+-n-переходу
при прикладанні до нього напруги U;
Wi - ширина
ОПЗ при прикладенні до n-p - переходу
напруги U.
В свою чергу, ширина ОПЗ, за умови
що має місце випадок різко асиметричного p+-n-переходу зі
слабо легованою n-областю, визначається згідно
[9]
за формулою
, (2.4.3.3)
Отже, di ~ √U.
Зрозуміло, що теоретично розрахувати
очікуване значення складових темнового струму важко. Адже багато величин, що
входять до формул, визначаються технологією виготовлення кристалу. Тому слід оцінювати
можливість виготовлення шляхом порівняння темнового струму розробленого ФД з
темновим струмом фотодіода ФД321М-03, що серійно виробляється. Порівняння є
коректним, тому що кристали ФД321М-03 виготовляються також з кремнію питомого
опору ρn = 600 Ом·см. Типові
значення темнового струму ФЧЕ фотодіода ФД321М-03
при напрузі 15 В - сотні пікоампер, розмір ФЧЕ - (0,6·0,6) мм2.
Тоді значення генераційної складової
темнового струму при напрузі зміщення 10 В буде визначатись співвідношенням:
, (2.4.3.4)
де Iт(15 В) -
типове значення темнового струму ФЧЕ ФД321М-03 при напрузі зміщення 15 В;
di(10 В)
-ширина ОПЗ при напрузі зміщення 10 В;
di(U=15 В) -ширина
ОПЗ при напрузі зміщення 15 В;
А1=4,4 мм2
- площа ФЧЕ розробленого ФД;
А2 = 0,36 мм2
- площа ФЧЕ ФД321М-03.
З урахуванням того, що j » 0,5 В - di(10 В) / di(15 В) » Ö10/15 » 0,816, а
типові значення темнового струму ФЧЕ фотодіода ФД321М-03
при напрузі зміщення 15 В складають сотні пікоампер, норма темнового струму ФЧЕ
розробленого ФД, якщо вона визначається генераційною складовою, при напрузі
зміщення 10 В легко досяжна. Поверхнева генераційна складова темнового струму,
зумовлена генерацією носіїв на межі розділу “кремній - захисний шар SiO2” згідно [4]
визначається за формулою
, (2.4.3.5)
де Nst -
концентрація поверхневих генераційних центрів;
vht - теплова
швидкість носіїв заряду;
s
- площа перерізу захоплення центрів генерації - рекомбінації;
АF - площа
збідненої зони на межі розділу “кремній - захисний шар SiO2”.
При проведенні типових технологічних
процесів згідно [4] для кремнію σ = (10-15 -
10-17) см-2, Nst = (1010
- 1013) см-2. Вони визначаються чистотою обробки поверхні
кремнію та дотриманням умов єлектронно-вакуумної гігієни.
Теплова швидкість єлектрона
визначається по формулі
, (2.4.3.6)
де m = 9,11·10-31 кг.
Таким чином, вважаючи, що σ та Nst будуть мати
середні значення у діапазоні своїх значень, можна визначити очікуване значення
поверхневої складової темнового струму ФД. Для визначення площі збідненої зони
на межі розділу “кремній - захисний шар SiO2”
слід розглянути рисунок 2.4.3.1.
З рисунка видно, що АF =2 l·ds + 2 (l + 2ds)·ds, де
l - сторона
квадрата (р+
- області). ds можна
вважати приблизно рівним d = 42 мкм, вирахуваним згідно
формули (2.4.1.5).
Рисунок 3.4.3.1 - Збіднена область
на поверхні кристалу (виз зверху)
Отже, після проведення підрахунків
за формулами (2.4.3.5), (2.4.3.6), для умови σ
= 1·10-16
см-2, Nst
= 5·1012 см-2, з урахуванням значення АF,
отримаємо ITS
= 1,7·10-16 А.
Отже, якщо темновий струм буде визначатись його
поверхневою складовою, то поверхнева складова темнових струмів розробленого ФД
буде значно нижчою норми темнового струму, що висувалась згідно ТЗ.
Таким чином, реалізація норм ТЗ по темновим
струмам можлива при використанні для виготовлення ФД епітаксійних кремнієвих
пластин ВКС з питомим опором високоомного шару ρn
= 600 Ом·см.
Загальний висновок: реалізація вимог
ТЗ по фотоелектричним параметрам можлива при використанні
для виготовлення ФД епітаксійних
кремнієвих пластин ВКС з питомим опором високоомного шару ρn
=
600 Ом·см
та товщиною цього шару 20 мкм.
3.
Дослідження параметрів та характеристик розробленого ФД
.1 Загальні
положення
Контроль параметрів та характеристик ФД
здійснювався в нормальних кліматичних умовах випробувань (НКУ), якщо інші умови
не зазначені при викладенні конкретних методів контролю.
Нормальні кліматичні умови
випробування характеризуються такими значеннями кліматичних факторів:
·
температура
повітря від 15 до 35 °С;
·
відносна
вологість повітря від 45 до 80 % (при температурі повітря більше 30 °С
відносна вологість повинна бути не більше 70 %);
·
атмосферний
тиск від 84 до 106 кПа (від 630 до 800 мм рт.ст.).
Якщо до початку вимірювань ФД знаходився в
кліматичних умовах, відмінних від нормальних, то перед проведенням вимірювань
він витримувався в нормальних кліматичних умовах не менше 1 год.
Умови вимірювання фотоелектричних параметрів та характеристик
і вимоги до апаратури - відповідно до ГОСТ 17772 з доповненнями та уточненнями,
викладеними у цьому розділі. Вимірювання фотоелектричних параметрів ФД в
кліматичних умовах, відмінних від нормальних, здійснювались по відповідних
методиках після витримки його в цих умовах не менше 1 год при сталій
температурі.
Для подачі на ФД робочої чи іншої напруги і
підключення ФД до вимірювального тракту при вимірюваннях електричних і
фотоелектричних параметрів використовувався контактний (зондовий) пристрій, на
якому розміщувався досліджуваний кристал (ФД) (рис. 3.1.1). Координатний
пристрій дозволяв переміщувати кристал з великою точністю. Вимірювання
параметрів та характеристик ФД здійснювалось на окремих кристалах, та
на кристалах, що розміщались на вихідній пластині діаметром 60 мм, на якій були
зформовані кристали. При цьому пластина
була прорізана фрезою товщиною 50 мкм на глибину 300 мкм по межам між окремими
кристалами.
1 - ФД (кристал на пластині), що
випробовується, з металізованими контактними площадками; 2 - зонд (голка); 3 -
металізована (контактнна) пластина; 4 - ізоляційна пластина; 5 - координатний
столик.
Рисунок 3.1.1 - Зондовий пристрій з
досліджуваним ФД (кристалом)
Вимірювальні прилади, що застосовувались
бути повірені у встановленому порядку.
3.2
Вимірювання темнового струму та дослідження вольт-амперниххарактеристик ФД
Контроль темнового струму ФЧЕ Iт
здійснювався за ГОСТ 17772 методом вимірювання напруги на виході перетворювача
"струм-напруга" при робочій напрузі рівній 10 В на ФД.
Вимірювання темнового струму здійснювалось на
установці, блок-схема якої наведена на рисунку 3.2.1, при температурі (20±2) оС.
При вимірюванні темнового струму забезпечувалась відсутність будь-якого
освітлення ФЧЕ ФД, для чого використовувався світлонепроникний екран.
Вольтметром 5 вимірювалась величина
напруги на виході перетворювача "струм-напруга".
1 - кристал на зондовому пристрої
під світлонепроникним екраном; 2, 3 - блоки живлення Б5-43, Б5-44; 4 -
перетворювач "струм-напруга" АДБ7.0243.00.00; 5 - вольтметр В7-21; 6
- камера тепла і холоду АДБ7.0002.00.00.
Рисунок 3.2.1 - Блок-схема
вимірювання темнового струму та зняття вольт-амперної характеристики ФД
Величину темнового струму ФЧЕ ФД Iт,
А, розраховувалась за формулою
Iт = k
· U , (3.2.1)
де U - спад напруга, виміряна
вольметром 5, В;
k - коефіцієнт
перетворення, А/В.
Похибка вимірювання темнового струму не
перевищувала ± 2,5 %.
Типові значення темнового струму при
робочій напрузі та температурі (20±2) оС були приблизно рівні 10 нА,
а при температурі (60±2) оС - менше 200 нА.
Типові вольт-амперні характеристики
ФД, побудовані в подвійній логарифмічній шкалі, при вищевказаних температурах
та діапазони їхніх допустимих розкидів зображені на рис. 3.2.2.
Рисунок 3.2.2 - Типові вольт-амперні
характеристики ФД
3.3
Вимірювання струмової монохроматичної чутливості та дослідження відносної
спектральної характеристики чутливості ФД
Контроль струмової монохроматичної чутливості ФД
SIλ
на довжині хвилі оптичного випромінювання 0,9±0,025 мкм здійснювався на
установці, блок-схема якої наведена на рисунку 3.3.1, методом порівняння
струмової монохроматичної чутливості ФД, що випробовується, зі струмовою
монохроматичною чутливістю еталонного ФД. В якості еталонного ФД
використовувався атестований ФД типу ФД 288.
Вимірювання здійснювалось з використанням
зондового пристрою та координатного столика. Опір навантаження ФД - 50 Ом
±
1
%. Частота модульованого потоку випромінювання fмод
= (1
±
0,2)
кГц. Потужність випромінювання - 10-4 - 10-6 Вт.
1 - блок живлення випромінювача
Б5-45; 2 - блок живлення ФД Б5-44; 3 - блок живлення широкополосного
підсилювача АДБ 161.30.00; 4 - генератор імпульсів Г5-72; 5 - випромінювач АДБ
161.10.00-01; 6 - ФД, що випробовується з зондовим пристроєм; 7 - координатний
столик; 8 - широкополосний підсилювач АДБ 161.40.00; 9 - осцилограф С1-64.
Рисунок 3.3.1 - Блок-схема установки
для контролю струмової монохроматичної чутливості SIλ
Випромінювач разом з оптичною системою забезпечували
освітлення тільки ФЧЕ ФД. Наведення світлового зонда випромінювача на ФЧЕ ФД,
що випробовується, здійснювалось за допомогою координатного столика.
Осцилографом вимірювалась напруга фотосигналу на виході еталонного ФД (Uет),
а потім, не змінюючи режиму живлення випромінювача, вимірювалась напругу на
виході ФД, що випробовувався, (U).
Величина струмової монохроматичної
чутливості ФЧЕ SIl,
А/Вт, розраховувалась за формулою
(3.3.1)
де SIlет
- струмова монохроматична чутливість еталонного ФД, А/Вт;
U - напруга фотосигналу ФЧЕ випробовуваного ФД,
мВ;
Uет - напруга фотосигналу еталонного
ФД, мВ.
Типові значення сирумової
монохроматичної чутливості складали 0,18 - 0,20 А/Вт.
Похибка вимірювання струмової
монохроматичної чутливості не перевищувала ± 15 %.
Відносна спектральна характеристика
чутливості ФД визначалась згідно ГОСТ 17772 в спектральному діапазоні від 0,4
до 1,0 мкм через 20 нм.
Вимірювання здійснювалось на
установці, блок-схема якої приведена на рис. 3.3.2.
1 - блок живлення Б5-21; 2 - джерело
випромінювання КГМ 24-150; 3 -оптична система з комплекту монохроматора МДР-23;
4 - монохроматор МДР-23; 5 - електромеханічний модулятор; 6 - фокусуюча оптична
система; 7 - досліджуваний ФД (контрольний ФД-288) з контактним пристроєм (опір
навантаження Rн
= 1 кОм) на
координатному столику; 8 - селективний вольтметр У2-8.
Рисунок 3.3.2 - Блок-схема зняття
відносної спектральної характеристики чутливості
Фокусуючою оптичною системою
формувався світловий зонд діаметром ~ 0,5 мм. Селективний вольтметр
налагоджувався на робочу частоту модулятора 1000 Гц. Вимірювання здійснювались
на змінному потоці. Спочатку вимірювалась величина фотонапруги на опорі
навантаження в діапазоні 0,4 - 1,0 мкм для контрольного ФД-288, а потім для
досліджуваного ФД.
Значення відносної спектральної
чутливості досліджуваного ФД Sвідн.(λ)
у відносних одиницях на довжині хвилі λ визначається
за формулою
Sвідн.
(λ)
= Sλ//
Sλ макс
, (3.3.2)
де Sλ
- монохроматична чутливість досліджуваного ФД на довжині хвилі λ,
А/Вт;
Sλ
макс
- монохроматична чутливість досліджуваного ФД в максимумі спектральної
чутливості, А/Вт.
Рисунок 3.3.3 - Типова
відносна спектральна характеристика чутливості ФД
Типова форма відносної спектральної
характеристики чутливості досліджуваного ФД приведена на рис. 3.3.3.
Похибка визначення відносної спектральна
характеристика чутливості ФД складала ±17 %.
3.4
Вимірювання часу наростання та спаду фотоструму ФД по рівню 0,1 - 0,9
Вимірювання часу наростання та спаду
фотоструму ФД по рівню 0,1 - 0,9 (τ0,1-0,9) SIλ
на довжині хвилі оптичного випромінювання 0,9 ± 0,025 мкм здійснювався на
установці, блок-схема якої наведена на рисунку 3.3.1, методом порівняння часу
наростання (спаду) ФД, що випробовується, з часом наростання еталонного ФД. В
якості еталонного ФД використовувався атестований ФД типу ФД-255, що мав час
наростання на опорі навантаження 500 Ом 10 нс. Основною проблемою було те, що
випромінювач мав фронт наростання імпульсу 14 нс. Швидшого випромінювача, на
жаль, немає. Крім того, добавку до вимірюваного значення часу наростання
(спаду) ФД, давали з'єднувальні дроти.
Спочатку вимірювався за показами осцилографа
суммарний час наростання вихідного сигналу (τсум)
попередньо атестованого на опорі навантаження 500 Ом контрольного ФД-255, що
мав власний час наростання τ0,1-0,9
контр. = 10 нс. Сумарний час наростання контрольного
ФД описується виразом
, (3.4.1)
де τтр. еф.
- эффективний час вимірювального тракту.
З формули (3.4.1) вираховується
эффективний час вимірювального тракту (τтр.еф.), тобто
вплив на вимірювання випромінювача та з'єднувальних дротів
Не змінюючи випромінюваного потоку,
опромінювався досліджуваний ФД. По екрану осциллографа визначався сумарний час
наростання (спаду) досліджуваного ФД (τсум.досл.).
Суммарний час наростання (спаду)
досліджуваного ФД описується виразом
, (3.4.2)
З формули (3.4.2), з урахуванням
вирахуваного значення τтр.еф., визначався
час наростання (спаду) досліджуваного ФД (τ0,1-0,9).
Отримані значення час наростання
(спаду) досліджуваного ФД виявились близькими до теоретично розрахованих
значень. Причому, час спаду був дещо більшим часу наростання.
Похибка визначення часу
наростання (спаду) досліджуваного ФД складала ±15 %.
3.5 Вимірювання
ємності ФД
Вимірювання ємності ФД здійснювалось на
установці, структурна схема якої приведена на рисунку 3.5.1.
Вимірювання здійснювалось таким чином: спочатку
вимірювалась ємність вимірювального тракту в пікофарадах, а потім ємність
вимірювального тракту зі втановленим у контактуючий пристрій ФД, що
досліджувався.
1 - світлонепроникний екран; 2 - ФД,
що досліджується з контактуючим пристроєм; 3 - вимірювач L,
C, R
E7-12; 4
- блок живлення Б5-43 (Б5-44); 7 - вольтметр постійного струму В7-21
Рисунок 3.5.1 - структурна схема установки для
вимірювання ємності
Ємність ФД, С, пФ,
визначалась за формулою
(3.5.1)
де Сзаг - ємність
вимірювального тракту зі встановленим ФД, пФ;
Суст - ємність
вимірювального тракту ємність, пФ.
Значення ємності при 0 В складала
приблизно 4,4 пФ, при 10
В - приблизно 20 пФ. Але при
цьому похибка вимірювання зростала.
Похибка вимірювання ємності ФД при 0
В складала 15 %.
Висновки
В результаті проведених досліджень
можливості реалізації вимог технічного завдання було встановлено, що
оптимальним для розробки та виготовлення безкорпусного чотириелементного
швидкодіючого фотодіода є використання кремнієвих монокристалічних епітаксійних
пластин типу ВКС згідно ТУ 48-0533-005. Розрахунки показали можливість реалізації
вимог як по струмовій монохроматичній чутливості, так і по швидкодії ФД.
Невисоке значення чуливості (0,15 А/Вт) дозволило використати пластину з
товщиною високоомного шару 20 мкм. Питомий опір високоомного шару - 600 Ом·см.
Генерація носіїв заряду в високоомному шарі дозволила швидко (методом дрейфу)
доставляти їх до p+-n-переходу,
що й забезпечило швидкодію ФД. Якби стояло завдання отримання вищої чутливості
- слід було б використати пластини з товстішим епітаксійним шаром.
Виготовлені ФД були досліджені на
предмет виконання технічного завдання. Вимірювання параметрів та характеристик
розробленого фотодіода підтвердили повне виконання тпоставленого технічного
завдання.
Загальний висновок - оптимальним для
виготовлення чотириелементних швидкодіючих фотодіодів є використання
епітаксійних кремнієвих пластин з тонким високоомним шаром.
Література
1.
И.Д.
Анисимова, И.М. Викулин Полупроводниковые фотоприемники. Москва: Радио и связь,
1984. Стор. 2, стор. 47 - 65, стор. 94 -95, стор. 61, стор. 14.
2.
В.Г.
Дулин Электронные приборы. Москва: Энергия, 1977. Стор. 371.
3.
М.А. Тришенков, А.И.Фример Полупроводниковые приборы и их применение, Москва:
Советское радио, 1971. вып. 25. Стор. 161 - 162.
4.
Р. Маллер, Т. Кейминс. Элементы интегральных схем. Москва: Мир, 1989. Стор. 45,
стор. 288, стор. 296, стор. 486-487.
5.
Т.Н.Крылова. Интерференционные покрытия. Ленинград: Машиностроение, 1973. Стор.
27.
6.
Уиллардсон Р. Оптические свойства полупроводников. Моска: Мир, 1970. Стор. 488,
стор. 321.
7.
Гауэр Д. Оптические системы связи. Москва: Радио и
связь, 1989. Стор. 313.
8.
Зи С. Физика полупроводниковых приборов: Москва: Мир, 1984. Стор. 341.
9.
П.Г. Орешкин. Физика полупроводников и диэлектриков. Москва: Высшая школа.
Стор. 198, стор. 200, стор. 89, стор. 198.
Додаток
При виконанні усіх видів робіт
потрібно дотримуватись вимог, що викладені в Правилах технічної експлуатації та
безпеки обслуговування електроустаткування.
При виконанні даної дипломної роботи
використовувались джерела високої нпруги. Тому при роботі в лабораторії слід
приділяти постійну увагу питанням електробезпеки і технічної гігієни при
обслуговуванні електричних приладів. В лабораторії потрібно суворо
дотримуватись наступних правил безпеки:
·
до роботи допускаються особи, які
уважно ознайомились з технічною документацією на прилади, що використовуються,
та пройшли інструктаж з техніки безпеки;
·
в приміщенні під час роботи повинні
знаходитись не менше двох осіб;
·
перед початком роботи необхідно
перевірити заземлення приладів;
·
переконатись в справності всіх з'єднувальних
дротів та правильності їх з'єднання;
·
вмикання джерел високої напруги
здійснювати суворо у відповідності з інструкцією по експлуатації;
·
не залишати без нагляду ввімкнені
прилади;
·
після закінчення робіт перевірити чи
вимкнені прилади.
При ураженні електричним струмом
спасіння постаждалого в більшості випадків залежить від швидкості звільнення
його від дії струму, а також від швидкості та правильності надання першої
допомоги.
Для відділення постраждалого від
струмопровідних елементів потрібно скористатись сухим одягом, канатом, палицею
або іншими сухими предметами, що не проводять електричний струм. В усіх
випадках виклик лікаря є обов'язковим
незалежно від стану постраждалого.