Микроэлектроника и функциональная электроника (разработка топологии ИМС) )

  • Вид работы:
    Тип работы
  • Предмет:
    Электротехника
  • Язык:
    Русский
    ,
    Формат файла:
    MS Word
    54,65 kb
  • Опубликовано:
    2008-12-09
Вы можете узнать стоимость помощи в написании студенческой работы.
Помощь в написании работы, которую точно примут!

Микроэлектроника и функциональная электроника (разработка топологии ИМС) )

Техническое задание №6.

 

Схема логики ИЛИ-НЕ на биполярных транзисторах.

 

Технология планарно-эпитаксиальная, изоляция элементов слоем

n-полупроводника.


 

Элемент

Характеристика

1

R1 – R4

4,7 кОм ±20%

2

R5

3,3 кОм ±20%

3

C1 – C4

20 пФ ±20% Uраб = 4 В, диэлектрик – SiO2

4

Типовый транзистор монолитных ИС, однобазовый полосковый.

Похожие работы на - Микроэлектроника и функциональная электроника (разработка топологии ИМС) )

 

Не нашел материал для своей работы?
Поможем написать качественную работу
Без плагиата!