Элементная база радиоэлектронной аппаратуры-1 (Контрольная)

  • Вид работы:
    Тип работы
  • Предмет:
    Электротехника
  • Язык:
    Русский
    ,
    Формат файла:
    MS Word
    36,77 kb
  • Опубликовано:
    2008-12-09
Вы можете узнать стоимость помощи в написании студенческой работы.
Помощь в написании работы, которую точно примут!

Элементная база радиоэлектронной аппаратуры-1 (Контрольная)

УПИ – УГТУ

 

Кафедра радиоприёмные устройства.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Контрольная работа № 1

по дисциплине: Элементная база радиоэлектронной аппаратуры.

Вариант № 17

Шифр:

 

Ф.И.О

Заочный факультет

Радиотехника

Курс: 3

 

 

 

 

 

 

 

 

                                                                                         Работу не высылать.

УПИ – УГТУ

 

Кафедра радиоприёмные устройства.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Контрольная работа № 1

по дисциплине: Элементная база радиоэлектронной аппаратуры.

Вариант № 17

Шифр:

 

Ф.И.О

Заочный факультет

Радиотехника

Курс: 3

 

 

 

 

 

 

 

 

                                                                                         Работу не высылать.

Аннотация.

 

                Целью работы является активизация самостоятельной учебной работы, развитие умений выполнять информационный поиск, пользоваться справочной литературой, определять параметры и характеристики, эквивалентные схемы полупроводниковых приборов.


Диод 2Д510А



 Краткая словесная характеристика диода.

 

                Диод кремниевый эпитаксиально- планарный.

                Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Диоды маркируются цветным кодом: одной широкой и одной узкой полосами зелёного цвета со стороны вывода катода.

                Масса диода не более 0,15 г.


Паспортные параметры.

 

Электрические параметры:

Постоянное прямое напряжение при не Iпр= 200 мА  более:

                при 298 и 398 К ……………………………………………………………..     1,1 В

                при 213 К ……………………………………………………………………     1,5 В

Постоянный обратный ток при Uпр= 50 В,  не более:                                                                                                  

                при 298 и 213 К …………………………………………………………….         5 мкА

                при 398 К ……………………………………………………………………     150 мкА

Заряд переключения при Iпр= 50 мА, Uобр,и= 10 В, не более ……………….      400 пКл

Общая ёмкость диода при Uобр= 0 В,   не более …………………………………          4 пФ

Время обратного восстановления при Iпр= 50 мА, Uобр,и= 10 В,

Iотсч= 2 мА не более ………………………………………………………………          4 нс

Предельные эксплуатационные данные:

Постоянное, импульсное обратное напряжение (любой формы и

периодичности) ………………………………………………………………………       50 В

Импульсное обратное напряжение при длительности импульса (на уровне 50 В)

не более 2 мкс и скважности не менее 10 …………………………………………        70 В

Постоянный или средний прямой ток:

                при температуре от 213 до 323 К …………………………………………      200 мА

                при 393 К …………………………………………………………………..      100 мА

Импульсной прямой ток при τи ≤ 10 мкс (без превышения среднего прямого тока):

                при температуре от 213 до 323 К …………………………………………    1500 мА

                при 393 К …………………………………………………………………..      500 мА

Температура перехода ………………………………………………………………      423 К

Температура окружающей среды ………………………………………………….От 213 до

                                                                                                                                             393 К

Семейство вольтамперных характеристик:

Iпр,мА






200






160






120






80






40






0

0,4

0,8

1,2

1,6

2,0

Uпр,В   



Расчёты и графики зависимостей:

1) сопротивление постоянному току R= и переменному току (малый сигнал) r~ от прямого и обратного напряжения для комнатной температуры 298 К.

Зависимость тока от прямого напряжения:

Iпр,мА











200

I8











180











160











140











120











100

 











80











60











40












20

I1











0

0,1

0,2

0,3

0,4

0,5

0,7

U1

0,8

0,9

1,0

1,1

U8

Uпр,В   


   I1 =   10 мА,   U1 = 0,63 В,   R1 =   U1  /    I1 = 0,63 /   10 мА  =    63 Ом

   I2 =   20 мА,   U2 = 0,73 В,   R2 =   U2  /    I2 = 0,73 /   20 мА  = 36,5 Ом

   I3 =   40 мА,   U3 = 0,81 В,   R3 =   U3  /    I3 = 0,81 /   40 мА  = 20,3 Ом

   I4 =   60 мА,   U4 = 0,86 В,   R4 =   U4  /    I4 = 0,86 /   60 мА  = 14,3 Ом

   I5 =   80 мА,   U5 = 0,90 В,   R5 =   U5  /    I5 = 0,90 /   80 мА  = 11,3 Ом

   I6 = 120 мА,   U6 = 0,97 В,   R6 =   U6  /    I6 = 0,97 / 120 мА  = 8,03 Ом

   I7 = 160 мА,   U7 = 1,03 В,   R7 =   U7  /    I7 = 1,03 / 160 мА  =   6,4 Ом

   I8 = 200 мА,   U8 = 1,10 В,   R8 =   U8  /    I8 = 1,10 / 200 мА  =   5,5 Ом

ΔI1 =   10 мА, ΔU1 = 0,10 В,   r = ΔU1 / ΔI1 = 0,10 /   10 мА  =     10 Ом

ΔI2 =   20 мА, ΔU2 = 0,08 В,   r = ΔU2 / ΔI2 = 0,08 /   20 мА  =       4 Ом

ΔI3 =   20 мА, ΔU3 = 0,05 В,   r = ΔU3 / ΔI3 = 0,05 /   20 мА  =    2,5 Ом

ΔI4 =   20 мА, ΔU4 = 0,04 В,   r = ΔU4 / ΔI4 = 0,04 /   20 мА  =       2 Ом

ΔI5 =   40 мА, ΔU5 = 0,07 В,   r = ΔU5 / ΔI5 = 0,07 /   40 мА  =    1,7 Ом

ΔI6 =   40 мА, ΔU6 = 0,06 В,   r = ΔU6 / ΔI6 = 0,06 /   40 мА  =    1,5 Ом

ΔI7 =   40 мА, ΔU7 = 0,07 В,   r = ΔU7 / ΔI7 = 0,07 /   40 мА  =    1,7 Ом
Зависимость сопротивления постоянному току R= от прямого напряжения Uпр:

R=,Ом











70

R1











60











50

 











40











30











20












10

R8











0

0,1

0,2

0,3

0,4

0,5

0,6

0,7

U1

0,8

0,9

1,0

1,1

U8

Uпр,В   

Зависимость сопротивления переменному току r~ от прямого напряжения Uпр:

r~,Ом











10











9











8











7

 











6











5

 











4











3











2












1

 











0

0,1

0,2

0,3

0,4

0,5

0,7

U1

0,8

0,9

1,0

1,1

U7

Uпр,В   

Зависимость тока Iобр от обратного напряжения Uобр:


Iобр,мкА










5,0

I7










4,5










4,0










3,5










3,0










2,5

 










2,0










1,5










1,0











0,5

I1










0

5

10

15

20

25

30

35

40

U1

45

50

U7

Uоб,В   


   I1 = 0,25 мкА,   U1 = 37 В,   R1 =   U1  /    I1  = 37 /   0,25 мкА  =  148 МОм

   I2 = 0,50 мкА,   U2 = 40 В,   R2 =   U2  /    I2  = 40 /   0,50 мкА  =    80 МОм

   I3 = 1,00 мкА,   U3 = 42 В,   R3 =   U3  /    I3  = 42 /   1,00 мкА  =    42 МОм

   I4 = 2,00 мкА,   U4 = 44 В,   R4 =   U4  /    I4  = 44 /   2,00 мкА  =    22 МОм

   I5 = 3,00 мкА,   U5 = 46 В,   R5 =   U5  /    I5  = 46 /   3,00 мкА  = 15,3 МОм

   I6 = 4,00 мкА,   U6 = 48 В,   R6 =   U6  /    I6  = 48 /   4,00 мкА  =    12 МОм

   I7 = 5,00 мкА,   U7 = 50 В,   R7 =   U7  /    I7  = 50 /   5,00 мкА  =    10 МОм

ΔI1 = 0,25 мкА, ΔU1 =   3 В,   r = ΔU1 / ΔI1  =   3 /   0,25 мкА  =    12 МОм

ΔI2 = 0,50 мкА, ΔU2 =   2 В,   r = ΔU2 / ΔI2  =   2 /    0,50 мкА  =      4 МОм

ΔI3 = 1,00 мкА, ΔU3 =   2 В,   r = ΔU3 / ΔI3  =   2 /   1,00 мкА  =       2 МОм

ΔI4 = 1,00 мкА, ΔU4 =   2 В,   r = ΔU4 / ΔI4  =   2 /   1,00 мкА  =       2 МОм

ΔI5 = 1,00 мкА, ΔU5 =   2 В,   r = ΔU5 / ΔI5  =   2 /   1,00 мкА  =       2 МОм

ΔI6 = 1,00 мкА, ΔU6 =   2 В,   r = ΔU6 / ΔI6  =   2 /   1,00 мкА  =       2 МОм

Зависимость сопротивления постоянному току R= от обратного напряжения Uобр:

R=, МОм










160










140










120










100

 










80










60










40











20

 









0

5

10

15

20

25

30

35

U1

45

50

U7

Uоб,В   

Зависимость сопротивления переменному току r~ от обратного напряжения Uобр:

r~, МОм










12










10

 










8










6










4











2

 










0

5

10

15

20

25

30

35

40

U1

45

50

U7

Uоб,В   

  

2) График зависимости ёмкость Собр от обратного напряжения:




Сд,

пФ




4




3




2




1

 




0

20

40

60

80

UобрВ

Определение величин температурных коэффициентов.

                Определим графически из семейства вольтамперных характеристик величины температурных коэффициентов ТКUпр и  ТКIобр.

Iпр,мА








200

 

160








120








80

 








40








0

0,2

0,4

0,6

0,8

1,0

 

1,2

U1

1,4

1,6

U2

Uпр,В   

I = 200 мА, U1= 1,5 B, U2= 1,1 B, T1= 298 K, T2= 213 K


Iобр,мкА

I2

125





100





75





50





25

I1





0

10

20

30

40

 

50

U

60

UобрВ

U = 50 B, I1= 5 мкА, I2= 150 мкА, Т1= 298 К, Т2= 398 К



Определение сопротивления базы.

                Величина сопротивления базы rб оценивается по наклону прямой ветви ВАХ при больших токах (Т=298К):

 

 

Iпр,мА






500

I2






400





300






200

I1






100





0

0,2

0,4

0,6

0,8

1,0

 

  1,2

Uпр,В   


Тепловой потенциал:



По вольтамперной характеристике определяем:

U1 = 1,1 В, U2 = 1,2 В,

I1 = 200 мА, I2 = 500 мА




Малосигнальная высокочастотная схема диода

и величины её элементов.




                Малосигнальная высокочастотная схема диода при обратном смещении:






Величины элементов схемы при Uобр = 5 В :



Библиографический список.

1) “Электронные приборы: учебник для вузов”  Дулин В.Н., Аваев Н.А., Демин В.П. под ред. Шишкина Г.Г. ; Энергоатомиздат, 1989 г..

2) Батушев В.А. “ Электронные приборы: учебник для вузов”; М.: Высш.шк., 1980г.

3) Справочник “ Полупроводниковые приборы: диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы”; М.: Энергоатомиздат, 1987г..

4) “ Исследование характеристик и параметров полупроводниковых приборов” методические указания к лабораторной работе по курсу “ Электронные приборы”; Свердловск, 1989г..

  

Похожие работы на - Элементная база радиоэлектронной аппаратуры-1 (Контрольная)

 

Не нашел материал для своей работы?
Поможем написать качественную работу
Без плагиата!