Туннельная интерференция полей волн произвольной физической природы и перспективы ее применения
ТУННЕЛЬНАЯ
ИНТЕРФЕРЕНЦИЯ ПОЛЕЙ ВОЛН ПРОИЗВОЛЬНОЙ ФИЗИЧЕСКОЙ ПРИРОДЫ И ПЕРПЕКТИВЫ ЕЕ
ПРИМЕНЕНИЯ
В.В. Сидоренков, В.В. Толмачев
МГТУ им. Н.Э.
Баумана
Представлены краткие базовые сведения
о необычном эффекте туннельной интерференции полей волн произвольной
физической природы, проявление которой необходимо знать и принципиально
учитывать при изучении и физико-математическом моделировании условий
распространения указанных волн в поглощающих средах, то есть в средах с
комплексным показателем преломления. Приведен ряд конкретных примеров
технических приложений обсуждаемого здесь явления.
Сравнительно недавно [1, 2]
установлено, что в средах с комплексным показателем преломления (а именно, в
металлах) интерференционная составляющая вектора плотности потока энергии электромагнитных затухающих
встречных волн не равна нулю, принципиально является незатухающей и
пропорциональна мнимой части волнового числа :
, (1)
где и - комплексные амплитуды волн. Видно, что
усредненный по времени интерференционный поток в среде с поглощением осциллирует вдоль направления
распространения волн с периодом π/α, а в «запредельной»
области, то есть в среде с полным внутренним отражением (), указанный поток вообще не зависит
от х: = const,
и его величина и направление (знак) определяются разностью начальных фаз волновых полей. Согласно
(1), в прозрачной среде
интерференционный поток встречных волн отсутствует при любых
амплитудах и фазах полей этих волн, хотя сама интерференции как явление перераспределения
волновой энергии в пространстве при наложении двух или более полей когерентных
волн естественно остается.
Представленный феномен нетривиален
в том смысле, что в случае волн одного направления их интерференционный
поток энергии перечисленных
выше особенностей не имеет. Этот поток так же, как и потоки энергии каждой из
волн, пропорционален действительной части волнового числа α и в
поглощающей среде по мере распространения вглубь затухает по экспоненте,
степень которой пропорциональна .
Обсуждаемое явление условно
названо «электромагнитная туннельная интерференция», что логически
следует из сопоставления с результатами квантовомеханической задачи о
туннелировании микрочастицы через потенциальный барьер. Проиллюстрируем это на
примере одномерного барьера простейшей прямоугольной формы: U(x)
= U0 при –d/2 < x <
d/2 и U(x) = 0 при > d/2.
В случае, когда энергии частицы E = ħ2k2/2m
больше высоты барьера U0 , то
есть при E – U0 > 0, поле волновой функции частицы в области внутри барьера имеет вид двух
встречных волн вероятности:
, (2)
где , а и - комплексные амплитуды. Тогда плотность
потока вероятности внутри барьера
(3)
есть сумма потоков вероятности:
первой волны, распространяющейся в положительном направлении оси x, и
второй – в противоположном направлении, при отсутствии интерференционной
составляющей в плотности потока этих волн.
В другом случае, когда энергия
частицы Е меньше высоты барьера, то есть при E
– U0 <
0, волновая функция частицы внутри барьера имеет вид:
, (4)
где , а C1 и C2 - то же, что и для (2).
В таких условиях плотность потока
вероятности в области барьера запишется:
. (5)
Итак, когда E
– U0 <
0, функция потока описывает
туннелирование микрочастицы через барьер, обусловленное явлением интерференции
за счет сложения амплитуд вероятностей. Таким образом, аналогия между
выражениями в
(1) и в (5)
очевидна и вполне оправдывает название «электромагнитная туннельная
интерференция».
Приведем некоторые примеры
конкретных приложений обсуждаемого здесь явления. Это прежде всего туннельная
интерференция бозонных волн, но не электромагнитных (разговор о них
будет ниже), а волн бозе-кон-денсата куперовских электронных пар, когда
сравнительно просто можно описать сложный в традиционном изложении «эффект Джозефсона
в сверхпроводниках». Здесь соотношение (5) уже есть аналог фундаментального
соотношения Джозефсона для электрического тока , протекающего через два сверхпроводника,
разделенных туннельным контактом (слой диэлектрика, обычного проводника; – разность начальных фаз
волновых функций куперовских пар). Различие только в амплитудных значениях
сверхпроводящего и
обычного туннельных
токов, поскольку при заданной толщине слоя d их отношение и будет составлять
несколько порядков.
Как физическое явление
электромагнитная туннельная интерференция, по существу, есть эффект
Джозефсона со всеми его удивительными следствиями, которые можно наблюдать
теперь и в электромагнитных полях. Указанное явление исследовано в пленках металла
на оптических и СВЧ частотах [1, 2]. Установлено, что в пленках толщиной (- глубина скин-слоя) коэффициент
интерференционного прохождения (падение на пленку с разных ее сторон двух
когерентных волн) имеет значение, много большее (на порядки) коэффициента
обычного прохождения D. Предложены способ передачи
электромагнитных сигналов через сильно поглощающие среды [3], повышающий на
порядки эффективность передачи сигналов в радио- и оптических каналах с большим
затуханием, и способ индукционного нагрева изделий из электропроводных
материалов [4], где использование туннельной интерференции повышает КПД
нагрева в сравнении с обычным индукционным нагревом на 50-100%.
Другое, не менее важное
направление развития физических представлений о туннельной интерференции – это
синтез голограмм длинноволнового приближения, реализуемых при
материализации картины линий интерференционных потоков в ближней зоне элементарного
излучателя (диполь, квадруполь и т.д.), находящегося в поле падающей на него
электромагнитной волны [7]. Функционально такие голограммы предназначены для
преобразования одной моды (структуры) электромагнитного поля в другую моду и
могут иметь размеры порядка длины волны. В частности, такие электромагнитные
интерференционные преобразователи (ЭМИПы) предлагаются в качестве СВЧ антенн
направленного излучения [8].
В настоящее время исследования
указанного явления продолжаются и представлены в работах других авторов. Можно
надеяться, что использование представлений о туннельной интерференции
полей волн произвольной физической природы будут плодотворными в различных
областях науки и современной техники.
Литература:
1. Сидоренков В.В., Толмачев
В.В. // Письма в ЖТФ. 1989. Т. 15. Вып. 21. С. 34-37; 1990. Т. 16.
Вып. 3. С. 20-25; Вып. 20. С. 5-9.
2. Толмачев В.В.,
Савичев В.В., Сидоренков В.В. // Вестник МГТУ. Сер. Приборостроение. 1990.
№ 1. С. 125-133.
3. А.с. № 1689925. Способ
передачи электромагнитных сигналов через тонкопленочную среду // Б.И. 1991. №
41.
4. А.с. № 1707782. Способ индукционного
нагрева плоского изделия из электропроводного материала // Б.И. 1992. № 3.
5. Сидоренков В.В., Толмачев В.В. // Вестник
МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. Приборостроение. 1992. № 1. С. 43-56.
6. Сидоренков В.В., Толмачев
В.В., Федотова С.В. // Известия РАН. Сер. Физическая. 2001. Т. 61. № 12. C.
1776-1782.
7. Сидоренков В.В., Толмачев
В.В. // Известия РАН. Сер. Физическая. 1997. Т. 61. № 12. С.
2370-2378.
8. Патент № 2089027. Объемное
голографическое антенное устройство // Б.И. 1997. № 24.