Тема: Эпитаксиальный рост простых полупроводников Si и Ge на поверхности Si(111)

Примесную проводимость полупроводников рассмотрим на примере Ge и Si , в которые вводятся атомы с валентностью, отличной от...
Температуру роста можно существенно снизить, используя рост кристаллов из обогащенных (Те) расплавов.

...в простейшем случае трехмерному диффузионному уравнению, которое для полупроводника p-типа имеет вид: (5) с граничным условием на поверхности .
...к ФЭУ, или просто сами фотоприемники (например, из Ge и PbS) в непосредственной близости к объекту.

Для межсоединений внутри кристалла обычно применяют Al и его сплавы с Si и Cu, причем основным материалом для первого уровня металлизации является Al (табл.
2) адсорбция реагента DНads; 3) реакция на поверхности DF; 4) десорбция продуктов DНvap

Для межсоединений внутри кристалла обычно применяют Al и его сплавы с Si и Cu, причем основным материалом для первого уровня металлизации является Al (табл.
2) адсорбция реагента DНads; 3) реакция на поверхности DF; 4) десорбция продуктов DНvap

1. образует равномерное, сплошное, прочное покрытие на поверхности монокристаллического кремния...
...наиболее широкое распространение получил метод пайки эвтектическим сплавом золота (98% Au) с кремнием (2% Si ) c температурой плавления 370оС.

...исследования свойств полупроводников на Кремнии (Sc) и Германии ( Ge ) [Литература: Дж. Грик "Физика XX в.
В качестве полупроводника использован кремний( Si ). На поверхности канала с противоположных сторон формируется p-n-переход, таким образом...