Модели полупроводниковых диодов
По совмещенному графику видно, что при обратных напряжениях на переходе преобладает барьерная емкость , а при прямых напряжениях – диффузионная емкость . Площадь p - n перехода непосредственно учитывается в модели барьерной емкости