Тема: Емкость резкого p-n перехода

  • Вид работы:
    Курсовая работа (т)
  • Предмет:
    Физика
  • Язык:
    Русский
    ,
    Формат файла:
    MS Word
    153,23 kb
    Скачать
  • Опубликовано:
    2009-11-22
Вы можете узнать стоимость помощи в написании студенческой работы.
Помощь в написании работы, которую точно примут!

Похожие работы

 
  • Изучение электрических свойств p - n перехода
    От приложенного напряжения зависит не только проводимостью но и электрическая емкость p - n перехода . Для барьерной емкости резкого симметричного p - n перехода имеем: Для резкого несимметричного перехода при NA>>ND.
    СкачатьСкачать документ Читать onlineЧитать online
  • Электронно-дырочный переход
    ...с этим различают две емкости диода - барьерную и диффузионную. При этом: [pic] Барьерная емкость . Для резкого p +...
    Режим электрического пробоя p - n - перехода находит практическое применение для стабилизации напряжения. Такие диоды носят название...
    СкачатьСкачать документ Читать onlineЧитать online
  • Электронные цепи и приборы (шпаргалка)
    ... p - n перехода также уменьшается h’<h. Дрейфовый ток уменьшается, диффузионный ток резко возрастает. Динамическое равновесие нарушается и ч/з p - n переход протекает прямой ток
    Конденсатор. В качестве него применяется емкость p - n - перехода . Резистор.
    СкачатьСкачать документ Читать onlineЧитать online
  • Определение параметров p - n перехода
    2) тип p - n переход – резкий и несимметричный. 3) тепловой обратный ток () – 0,1 мкА. 4) барьерная ёмкость () – 1 пФ.
    4. Расчет параметров p - n перехода . a) величина равновесного потенциального барьера. б) контактная разность потенциалов.
    СкачатьСкачать документ Читать onlineЧитать online
  • Модели полупроводниковых диодов
    По совмещенному графику видно, что при обратных напряжениях на переходе преобладает барьерная емкость , а при прямых напряжениях – диффузионная емкость . Площадь p - n перехода непосредственно учитывается в модели барьерной емкости
    СкачатьСкачать документ Читать onlineЧитать online
  • Электроника
    Барьерная имеет место при обратном смещении p - n перехода . Запирающий слой выступает как диэлектрик =>конденсатор e=f(U) Эта емкость использована в варикапах.
    СкачатьСкачать документ Читать onlineЧитать online
  • Изучение свойств P - N - перехода различными методами
    В результате сопротивление p - n перехода резко уменьшается и через него начинает течь электрический ток, величина которого прямо пропорциональна приложенному напряжению.
    СкачатьСкачать документ Читать onlineЧитать online
Не нашли материал для своей работы?
Поможем написать уникальную работу
Без плагиата!
Без нейросетей!