Тема: Дрейфовые транзисторы их параметры, преимущества и недостатки

Диоды полупроводниковых ИМС реализуются на основе n-p-n транзисторов , причем их параметры зависят от схемы включения транзистора в качестве диода.
Перечислите основные преимущества и недостатки ИМС с диэлектрической изоляцией между элементами.

Диоды полупроводниковых ИМС реализуются на основе n-p-n транзисторов , причем их параметры зависят от схемы включения транзистора в качестве диода.
1. Перечислите основные преимущества и недостатки ИМС с диэлектрической изоляцией между элементами.

Совмещенная технология – обладает преимуществом каждой из рассмотренных технологий и исключает свойственные им недостатки .
- Основные параметры дрейфового транзистора при малых уровнях токов определяются по формулам, которые помещены ниже.

В области контакта образуется маленький полусферический р-п-переход. Такие диоды имеют устойчивые электрические параметры .
В 1953 г. был разработан дрейфовый транзистор . В эти годы широко разрабатывались и исследовались новые технологические...

...диоды, условное обозначение, классификация и основные параметры . 3. Биполярные и МОП транзисторы . 4. Светоизлучающие приборы и оптопары.
Давайте теперь попытаемся соединить эти два полупроводника. Так как у одного из них недостаток электронов...

Основные параметры варикапа: номинальная емкость СН при заданном номинальным напряжением UН (обычно 4 В ), максимальное обратное напряжение...
Преимуществом полевых транзисторов является также и то, что ассортимент полупроводниковых материалов для...