Технология эпитаксиальных пленок InAs
3. Схема установки для наращивания эпитаксиальных слоев InAs с помощью системы In-HCl-AsH3-H2
Молекулярно-лучевая эпитаксия (особенности технологии и свойства пленок )/Денисов А. Г., Садофьев Ю. Г., Сеничкин А. П. М., 1980. Вып. 14 (762).