Полупроводниковый оптрон (оптопара)

  • Вид работы:
    Практическое задание
  • Предмет:
    Информатика, ВТ, телекоммуникации
  • Язык:
    Русский
    ,
    Формат файла:
    MS Word
    396,89 Кб
  • Опубликовано:
    2015-06-24
Вы можете узнать стоимость помощи в написании студенческой работы.
Помощь в написании работы, которую точно примут!

Полупроводниковый оптрон (оптопара)














ОТЧЕТ ПО ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ

Полупроводниковый оптрон (оптопара)

Цель работы и краткая программа измерений

Изучение конструкции и принципов работы опто-электрических полупроводниковых преобразователей энергии. Наблюдение специфического отличия статических характеристик таких приборов от просто полупроводниковых аналогов на примере оптоэлектронной пары (оптронов).

Схема измерительной цепи.

полупроводниковый оптрон преобразователь

- источник питания 1-15 В;      R1 - потенциометр 0-100 Ом;- источник питания 1-50 В;          R2 - потенциометр 0-1 кОм;, PA2 - цифровой амперметр;       VU - исследуемый транзистор;, PV2 - цифровые вольтметры.

Предельно допустимые значения токов, напряжений и мощностей в цепях отдельных электродов прибора.

СИ МАКС = 10 В;                         P МАКС = 0.12 Вт;С МАКС = 6.6 мА;                    IЗИ МАКС = 10 мА;

Контрольные вопросы (методическая справка).

В основе работы оптопары лежит двойное опто-электрическое преобразование. Поступающий входной ток проходя через p-n переход входного светодиода (источники преобразования электрического тока в свет могут быть достаточно разнообразны, но нашем случае, как видно из схемы, используется именно светодиод) вызывает появление фотонов. Процесс происхождения фотонов обуславливается выделением излишней энергии носителя при его рекомбинации в базе диода. По большей части эта энергия одинакова для всех проходящих рекомбинаций, так как процесс протекания тока через полупроводниковый диод зависит от ширины запрещенной зоны. Запрещенную зону преодолевают носители с энергией равной близкой к граничным значениям энергии уровней в эмиттере и в базе, следовательно высвобождаемая энергия зависит от ширины контактной разности потенциалов. Цветовой спектр такого излучения узок и меняется только за счет изменения ширины запрещенной зоны подбором различных полупроводников или внедрения примисей в базовую область.

Работо же фотоэлемента обратна световому диоду. При облучении

фотодиода (именно он используется в нашей работе) энергия фотонов передается решетке и происходит генерирование носителей, которые под действием электрического поля перехода перемещаются в соответствующие области. Возникает потенциал на электродах диода.

В оптопарах используются как различные приемники и так и различные излучатели, притом в разнообразном сочетании.

Рисунок 1виды полупроводниковых оптопар

Рисунок 2Резисторная оптопара

Существуют оптопары с лазерными излучателями, люминисцентными и тд.

В качестве элементов гальванической развязки оптроны применяются: для связи блоков аппаратуры, между которыми имеется значительная разность потенциалов; для защиты входных цепей измерительных устройств от помех и наводок и т.д.

Специфическую группу управляющих оптронов составляют резисторные оптроны, предназначенные для слаботочных схем коммутации в сложных устройствах визуального отображения информации, выполненных на электролюминесцентных (порошковых) индикаторах, мнемосхемах, экранах.

Создание "длинных" оптронов (приборов с протяженным гибким волоконно-оптическим световодом) открыло совершенно новое направление применения изделий оптронной техники - связь на коротких расстояниях.

Различные оптроны (диодные, резисторные, транзисторные) находят применение и в чисто радиотехнических схемах модуляции, автоматической регулировки усиления и др. Воздействие по оптическому каналу используется здесь для вывода схемы в оптимальный рабочий режим, для бесконтактной перестройки режима и т. п.

Возможность изменения свойств оптического канала при различных внешних воздействиях на него позволяет создать целую серию оптронных датчиков: таковы датчики влажности и загазованности, датчика наличия в объеме той или иной жидкости, датчики чистоты обработки поверхности предмета, скорости его перемещения и т. п.

Достаточно специфическим является использование оптронов в энергетических целях, т. е. работа диодного оптрона в фотовентильном режиме. В таком режиме фотодиод генерирует электрическую мощность в нагрузку и оптрон до определенной степени подобен маломощному вторичному источнику питания, полностью развязанному от первичной цепи.

Создание оптронов с фоторезисторами, свойства которых при освещении меняются по заданному сложному закону, позволяет моделировать математические функции, является шагом на пути создания функциональной оптоэлектроники.

Универсальность оптронов как элементов гальванической развязки и бесконтактного управления, разнообразие и уникальность многих других функций являются причиной того, что сферами применения этих приборов стали вычислительная техника, автоматика, связная и радиотехническая аппаратура, автоматизированные системы управления, измерительная техника, системы контроля и регулирования, медицинская электроника, устройства визуального отображения информации.

Необходимые расчеты

Снятые данные:

Прямая передача

выходная характеристика


Uвх[В]

Iвых[мкА]


Iвх=4мА

Iвх=6мА

Iвх=8мА

Iвх=12мА

Iвх=15мА

 

0,00

0,00

Iвых[мкА]

Iвых[мкА]

Iвых[мкА]

Iвых[мкА]

Iвых[мкА]

 

1,00

0,30

0,00

120,00

157,00

250,00

373,00

447,00

 

1,10

0,60

2,00

124,00

165,00

254,00

376,00

 

1,20

3,60

6,00




377,00


 

1,30

6,70

10,00




378,00


 

1,40

10,10







 

 

Выходная ВАХ:


Входная ВАХ


Передаточная характеристика по току при неизменном выходном напряжении:


Коэффициент передачи тока, учитывая явную линейную зависимость, в результате гальванической развязки входной и выходной цепи, можно посчитать (исходя из графика) по конечным точкам измерения:

Х1(4мА;124мкА), Х2(15мА;457мкА)

 


В результате проведения работы было установлено, что характеристики входной цепи оптрона носят экспоненциальный характер и совпадают с характеристиками обычного выпрямительного диода. Выходная характеристика аналогична характеристики транзистора при включении с общей базой.

Выходные характеристики представляют собой почти идеальные горизонтальные прямые расположенные под незначительным углов в сторону роста выходного тока. Вероятнее всего незначительный рост выходного тока при увеличении обратного напряжения на фотодиоде, связан с увеличением ширины запрещенной зоны и, как следствие, увеличению выталкивающего поля, т.е. уменьшению количества рекомбинаций внутри самой зоны.

Был рассчитан коэффициент передачи по току, составивший 3% от входного, что является  не самым лучшим показателем среди аналогичных приборов. Надо заметить, что снятые показания не соответствуют заводским электрическим параметрам (коэффициент передачи по току при Iвх=10мА не менее 1,5% для А0Д101Г). При 10мА входного тока, коэффициент передачи составил 1.1%, что скорее всего говорит о старении оптического материала и, как следствие, спектральном рассогласование приемника и передатчика.


Не нашли материал для своей работы?
Поможем написать уникальную работу
Без плагиата!